所以這時候變頻器采用一拖多的方式就更能節(jié)約成本、減少故障率、也便于操作和維護(hù)。那么變頻器如何實現(xiàn)一拖多的功能？下面僅僅對一次電氣原理圖做出示例。二次電氣原理圖需要根據(jù)控制要求設(shè)計，此處暫不贅述。1.變頻器選型。在選型的時候，首先要考慮運(yùn)行工況——其中一臺或多臺電機(jī)是否要在變頻器運(yùn)行過程中隨時啟停。如果在變頻器的運(yùn)行過程中，電機(jī)不需要隨時啟動，只是停止或者停止都不用，那么在變頻器容量選型的時候只需要注意變頻器的額定功率大于所有電機(jī)的總功率，然后再放大一級選型即可。在這種情況下，進(jìn)行電氣設(shè)計的時候，就必須保證一個原則：變頻器處于停止?fàn)顟B(tài)才能切換，投入變頻電機(jī)的運(yùn)行狀態(tài)；在變頻器運(yùn)行過程中，嚴(yán)禁單獨(dú)啟停某臺設(shè)備或者多臺設(shè)備。

如果在變頻器的運(yùn)行過程中，電機(jī)需要隨時啟動停止，那么在變頻器容量選型的時候需要特別注意！首先統(tǒng)計可能要隨時啟停電機(jī)的總功率，然后把這個功率乘以5~7（在變頻器運(yùn)行過程中，隨時啟動的電機(jī)相當(dāng)于直接啟動，電機(jī)啟動電流差不多為額定電流的5~7倍），Zui后把這個結(jié)果與不需要隨時啟停的電機(jī)總功率相加，得到的和就是所需變頻器的理率。如果需要啟停的設(shè)備很多，那么這個功率就可以作為變頻器的選型功率，不需要再放大一級了——因為平常很難可能多個電機(jī)在同時啟動。如果需要啟停的設(shè)備很少，那么這個功率需要再放大一級，才能作為變頻器的選型功率。對于需要隨時啟停的電機(jī)，需要配置交流接觸器。對于交流接觸器的選型，遵循一般選型原則即可——電機(jī)的額定電流再放大一級選型即可。

對于變頻器一拖多的情況，為保護(hù)每個電機(jī)以及變頻器的設(shè)備安全，原則上必須在電機(jī)主回路安裝熱過載繼電器。對于熱過載繼電器的選型，遵循一般選型原則即可——電機(jī)的額定電流在熱過載繼電器的整定范圍以內(nèi)。在一臺變頻器驅(qū)動N臺電機(jī)的情況下，如果線路過長，可能存在比較大的分布電容，造成較大的高頻電流而導(dǎo)致變頻器過流、漏電流增加、電流顯示精度變低等。如果線路過長，需要采用輸出濾波器。以下以富士變頻器為例來進(jìn)行說明。3.7kW以下電機(jī)連線不得超過50米，3.7kW以上電機(jī)連線不得超過100米。驅(qū)動多臺電機(jī)時，應(yīng)按多個電動機(jī)配線總長來計算。設(shè)置或改變變頻器的運(yùn)行頻率，選擇何種設(shè)置方法由變頻器的功能參數(shù)值決定。1)和輸出Zui高電壓對應(yīng)的頻率。

2）輸出電壓等于額定電壓時的Zui小輸出頻率。絕大多數(shù)情況下，基本頻率都等于電動機(jī)的額定頻率。曲線。②Zui高頻率fmax：變頻器允許輸出的Zui高頻率。對應(yīng)Zui大給定信號的輸出頻率，大多數(shù)情況下Zui高頻率fmax等于基本把頻率fb。電動機(jī)在一定的場合應(yīng)用時，其轉(zhuǎn)速應(yīng)該在一定范圍內(nèi)，超出此范圍會造成或損失。上限頻率fH：允許變頻器輸出的Zui高頻率。下限頻率fL：允許變頻器輸出的Zui低頻率。變頻器驅(qū)動的電動機(jī)采用低頻起動，為了保證電動機(jī)正常起動而又不過流，變頻器須設(shè)定加速時間。電動機(jī)減速時間與其拖動的負(fù)載有關(guān)，有些負(fù)載對減速時間有嚴(yán)格要求（舉例）。IGBT（InsulatedGateBipolarTransistor）。

絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場效應(yīng)管）組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件，兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動電流較大；MOSFET驅(qū)動功率很小，開關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。圖1所示為一個N溝道增強(qiáng)型絕緣柵雙極晶體管結(jié)構(gòu)，N區(qū)稱為源區(qū)，附于其上的電極稱為源極。N區(qū)稱為漏區(qū)。器件的控制區(qū)為柵區(qū)，附于其上的電極稱為柵極。溝道在緊靠柵區(qū)邊界形成。