多功能磁控濺射鍍膜機（高真空磁控濺射儀）是用磁控濺射的方法，制備金屬、合金、化合物、半導(dǎo)體、陶瓷、介質(zhì)復(fù)合膜及其它化學反應(yīng)膜等；適用于鍍制各種單層膜、多層膜、摻雜膜系及合金膜；可鍍制磁性材料和非磁性材料。

設(shè)備關(guān)鍵技術(shù)特點

秉承設(shè)備為工藝實現(xiàn)提供實現(xiàn)手段的理念，我們做了如下設(shè)計和工程實現(xiàn)，實際運行效果良好，為用戶的專用工藝實現(xiàn)提供了的工藝設(shè)備方案。

靶材背面和濺射靶表面的結(jié)合處理

-靶材和靶面直接做到面接觸是很難的，如果做不到面接觸，接觸電阻將增大，導(dǎo)致離化電場的幅值不夠（接觸電阻增大，接觸面的電場分壓增大），導(dǎo)致鍍膜效果不好；電阻增大導(dǎo)致靶材發(fā)熱升溫，降低鍍膜質(zhì)量。

-靶材和靶面接觸不良，導(dǎo)致水冷效果不好，降低鍍膜質(zhì)量。

-增加一層特殊導(dǎo)電導(dǎo)熱的軟薄的物質(zhì)，保證面接觸。

距離可調(diào)整

基片和靶材之間的距離可調(diào)整，以適應(yīng)不同靶材的成膜工藝的距離要求。

角度可調(diào)

磁控濺射靶頭可調(diào)角度，以便針對不同尺寸基片的均勻性，做調(diào)控。

集成一體化柜式結(jié)構(gòu)

一體化柜式結(jié)構(gòu)優(yōu)點：

安全性好（操作者不會觸碰到高壓部件和旋轉(zhuǎn)部件）

占地面積小，尺寸約為：長1100mm×寬780mm（標準辦公室門是800mm寬）（傳統(tǒng)設(shè)備大約為2200mm×1000mm），相同面積的工作場地，可以放兩臺設(shè)備。

控制系統(tǒng)

采用計算機＋PLC兩級控制系統(tǒng)

安全性

-電力系統(tǒng)的檢測與保護

-設(shè)置真空檢測與報警保護功能

-溫度檢測與報警保護

-冷卻循環(huán)水系統(tǒng)的壓力檢測和流量

-檢測與報警保護

勻氣技術(shù)

工藝氣體采用勻氣技術(shù)，氣場更均勻，鍍膜更均勻。

基片加熱技術(shù)

采用鎧裝加熱絲，由于通電加熱的金屬絲不暴露在真空室內(nèi)，所以高溫加熱過程中不釋放雜質(zhì)物質(zhì)，保證薄膜的純凈度。鎧裝加熱絲放入均溫器里，保證溫常的均勻，然后再對基片加熱。

真空度更高、抽速更快

真空室內(nèi)外，全部電化學拋光，完全去除表面微觀毛刺叢林（在顯微鏡下可見），沒有微觀藏污納垢的地方，腔體內(nèi)表面積減少一倍以上，鍍膜更純凈，真空度更高，抽速更快。

設(shè)備詳情

設(shè)備結(jié)構(gòu)及性能

1、單鍍膜室、雙鍍膜室、單鍍膜室＋進樣室、鍍膜室+手套箱

2、磁控濺射靶數(shù)量及類型：1 ～6 靶，圓形平面靶、矩形靶3、靶的安裝位置：由下向上、由上向下、斜向、側(cè)向安裝

3、靶的安裝位置：由下向上、由上向下、斜向、側(cè)向安裝

4、磁控濺射靶：射頻、中頻、直流脈沖、直流兼容

5、基片可旋轉(zhuǎn)、可加熱

6、通入反應(yīng)氣體，可進行反應(yīng)濺射鍍膜7、操作方式：手動、半自動、全自動

7、樣品傳遞采用折疊式超高真空機械手

工作條件

設(shè)備主要技術(shù)指標

-基片托架：根據(jù)供件大小配置。

-基片加熱器溫度：根據(jù)用戶供應(yīng)要求配置，溫度可用電腦編程控制，可控可調(diào)。

-基片架公轉(zhuǎn)速度 ：2 ～100轉(zhuǎn) / 分鐘，可控可調(diào)；基片自轉(zhuǎn)速度：2 ～20 轉(zhuǎn) / 分鐘。

-基片架可加熱、可旋轉(zhuǎn)、可升降。

-靶面到基片距離： 30 ～140mm 可調(diào)。

-Φ2 ～Φ4 英寸平面圓形靶2 ～ 3 支，配氣動靶控板，靶可擺頭調(diào)角度。

-鍍膜室的極限真空：6X10^-5Pa，恢復(fù)工作背景真空 7X10^-4Pa ，30 分鐘左右（新設(shè)備充干燥氮氣）。

-設(shè)備總體漏放率：關(guān)機 12小時真空度≤10Pa。

關(guān)于我們

鵬城半導(dǎo)體技術(shù)（深圳）有限公司，由哈爾濱工業(yè)大學（深圳）與有多年實踐經(jīng)驗的工程師團隊共同發(fā)起創(chuàng)建。公司立足于技術(shù)前沿與市場前沿的交叉點，尋求創(chuàng)新與可持續(xù)發(fā)展，解決產(chǎn)業(yè)的痛點和國產(chǎn)化難題，爭取產(chǎn)業(yè)鏈的自主可控。

公司核心業(yè)務(wù)是微納技術(shù)與精密制造，具體應(yīng)用領(lǐng)域包括半導(dǎo)體材料、半導(dǎo)體工藝和半導(dǎo)體裝備的研發(fā)設(shè)計和生產(chǎn)制造。

公司人才團隊知識結(jié)構(gòu)完整，有以哈工大教授和博士為核心的高水平材料研究和工藝研究團隊；還有來自工業(yè)界的gaoji裝備設(shè)計師團隊，他們具有20多年的半導(dǎo)體材料研究、外延技術(shù)研究和半導(dǎo)體薄膜制備成套裝備設(shè)計、生產(chǎn)制造的經(jīng)驗。

公司依托于哈爾濱工業(yè)大學（深圳），具備**的半導(dǎo)體研發(fā)設(shè)備平臺和檢測設(shè)備平臺，可以在高起點開展科研工作。公司總部位于深圳市，具備半導(dǎo)體裝備的研發(fā)、生產(chǎn)、調(diào)試以及半導(dǎo)體材料與器件的中試、生產(chǎn)、銷售的能力。

公司已投放市場的部分半導(dǎo)體設(shè)備

|物理氣相沉積（PVD）系列

磁控濺射、電子束、熱蒸發(fā)鍍膜機、離子束濺射鍍膜機、磁控與離子束復(fù)合鍍膜機

|化學氣相沉積（CVD）系列

MOCVD、PECVD、LPCVD、熱絲CVD、ICPECVD、等離子刻蝕機、等離子清洗機

|超高真空系列

分子束外延系統(tǒng)（MBE）、激光分子束外延系統(tǒng)（LMBE）

|太陽能薄膜電池設(shè)備（PECVD+磁控濺射）

團簇式太陽能薄膜電池中試線

|團簇式OLED中試與科研設(shè)備（G1、G2.5）

|其它

金剛石薄膜制備設(shè)備、合金退火爐、硬質(zhì)涂層設(shè)備、磁性薄膜設(shè)備、電極制備設(shè)備

|真空專用電源

高精度束源爐電源、高能脈沖電源、直流濺射電源、RF射頻濺射電源、高精度熱蒸發(fā)電源

團隊部分業(yè)績分布

完全自主設(shè)計制造的分子束外延（MBE）設(shè)備，包括自主設(shè)計制造的MBE超高真空外延生長室、工藝控制系統(tǒng)與軟件、高溫束源爐、高溫樣品臺、Rheed原位實時在線監(jiān)控儀（反射高能電子衍射儀）、直線型電子槍、膜厚儀（可計量外延生長的分子層數(shù)）、射頻源等關(guān)鍵部件。真空度達到8.0×10^-9Pa。

設(shè)備于2005年在浙江大學光學儀器國家重點實驗室投入使用，至今仍在正常使用。

設(shè)計制造磁控濺射與等離子體增強化學氣相沉積法PECVD技術(shù)聯(lián)合系統(tǒng)，應(yīng)用于團簇式太陽能薄膜電池中試線。使用單位中科院電工所。

采用熱絲法，設(shè)計制造了金剛石薄膜制備設(shè)備，應(yīng)用于金剛石薄膜材料的研究與生產(chǎn)。還可用于太陽能薄膜電池的研發(fā)與生產(chǎn)。現(xiàn)使用單位中科院金屬研究所、哈爾濱工業(yè)大學（深圳）。

設(shè)計制造了全自動磁控濺射設(shè)備，可加水平磁場和垂直磁場，自行設(shè)計的真空機械手傳遞基片。應(yīng)用于高密度磁記錄材料與器件的研究和中試?，F(xiàn)使用單位國家光電實驗室。

設(shè)計制造了OLED有機半導(dǎo)體發(fā)光材料及器件的研究和中試成套裝備?，F(xiàn)使用單位中國香港城市大學**材料實驗室。

設(shè)計制造了MOCVD及合金退火爐，用于GaN和ZnO的外延生長，實現(xiàn)LED無機半導(dǎo)體發(fā)光材料與器件的研究和中試?，F(xiàn)使用單位南昌大學國家硅基LED工程技術(shù)研究中心。

設(shè)計制造了磁控濺射研究型設(shè)備。現(xiàn)使用單位浙江大學半導(dǎo)體所。

設(shè)計制造了電子束蒸發(fā)儀研究型設(shè)備。現(xiàn)使用單位武漢理工大學。

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