熱絲CVD金剛石設(shè)備

鵬城半導(dǎo)體技術(shù)（深圳）有限公司研發(fā)設(shè)計(jì)制造了熱絲CVD金剛石設(shè)備，分為實(shí)驗(yàn)型設(shè)備和生產(chǎn)型設(shè)備兩類。

設(shè)備主要用于微米晶和納米晶金剛石薄膜的研發(fā)和生產(chǎn)?？捎糜诹W(xué)級(jí)別、熱學(xué)級(jí)別、光學(xué)級(jí)別、聲學(xué)級(jí)別的金剛石產(chǎn)品的研發(fā)生產(chǎn)。

可以制造大尺寸金剛石多晶晶圓片，用于大功率器件、高頻器件及大功率激光器的散熱熱沉。

可用于生產(chǎn)制造防腐耐磨硬質(zhì)涂層；環(huán)保領(lǐng)域污水處理用的金剛石產(chǎn)品。

可用于平面工件的金剛石薄膜制備，也可用于刀具表面或其它不規(guī)則表面的金剛石硬質(zhì)涂層制備。

可用于太陽能薄膜電池的研發(fā)與生產(chǎn)。

設(shè)備詳情

工件尺寸

圓形平面工作的尺寸：zui大φ650mm。

矩形工作尺寸的寬度1000mm/長度可根據(jù)鍍膜室的長度確定（如：工件長度1500mm)。

配置水冷樣品臺(tái)。

熱絲電源功率

可達(dá)300kW， 1kW~300kW可調(diào)

（可根據(jù)用戶工藝需求配置功率范圍）。

設(shè)備安全性設(shè)計(jì)

電力系統(tǒng)的檢測與保護(hù)

設(shè)置真空檢測與報(bào)警保護(hù)功能

冷卻循環(huán)水系統(tǒng)壓力檢測和流量檢測與報(bào)警保護(hù)

· 設(shè)詈水壓檢測與報(bào)警保護(hù)裝詈

· 設(shè)置水流檢測報(bào)警裝置

設(shè)備構(gòu)成

真空室結(jié)構(gòu)

雙層水冷結(jié)構(gòu)，立式圓形、立式D形、立式矩形、臥式矩形，前后開門，真空尺寸，根據(jù)工件尺寸和數(shù)量確定。

熱絲

熱絲材料：鉭絲或鎢絲。

熱絲溫度：1800°C~2500°C可調(diào)。

熱絲不塌腰（解決了熱絲長時(shí)間加熱塌腰的問題）。

樣品臺(tái)

可水冷、可加偏壓、可旋轉(zhuǎn)、可升降，由調(diào)速電機(jī)控制，可實(shí)現(xiàn)自動(dòng)升降，（熱絲與襯底間距在5~100mm范圍內(nèi)可調(diào)），要求升降平穩(wěn)，上下波動(dòng)不大千0.1mm。

工作氣路(CVD)

工作氣路根據(jù)用戶工藝要求配置

下面氣體配置是某一用戶的配置案例。

H2(5000sccm，濃度百分之百)

CH4(200sccm，濃度百分之百)

B2H6(50sccm，H2濃度99%)

Ar(1000sccm，濃度百分之百)

真空獲得及測量系統(tǒng)

控制系統(tǒng)及軟件

關(guān)于鵬城半導(dǎo)體

    鵬城半導(dǎo)體技術(shù)（深圳）有限公司，由哈爾濱工業(yè)大學(xué)（深圳）與有多年實(shí)踐經(jīng)驗(yàn)的工程師團(tuán)隊(duì)共同發(fā)起創(chuàng)建。公司立足于技術(shù)前沿與市場前沿的交叉點(diǎn)，尋求創(chuàng)新引領(lǐng)與可持續(xù)發(fā)展，解決產(chǎn)業(yè)的痛點(diǎn)和國產(chǎn)化難題，爭取產(chǎn)業(yè)鏈的自主可控。

    公司核心業(yè)務(wù)是微納技術(shù)與高端精密制造，具體應(yīng)用領(lǐng)域包括半導(dǎo)體材料、半導(dǎo)體工藝和半導(dǎo)體裝備的研發(fā)設(shè)計(jì)和生產(chǎn)制造。

   公司人才團(tuán)隊(duì)知識(shí)結(jié)構(gòu)完整，有以哈工大教授和博士為核心的高水平材料研究和工藝研究團(tuán)隊(duì)；還有來自工業(yè)界的gao*ji裝備設(shè)計(jì)師團(tuán)隊(duì)，他們具有20多年的半導(dǎo)體材料研究、外延技術(shù)研究和半導(dǎo)體薄膜制備成套裝備設(shè)計(jì)、生產(chǎn)制造的經(jīng)驗(yàn)。

   公司依托于哈爾濱工業(yè)大學(xué)（深圳），具備先進(jìn)的半導(dǎo)體研發(fā)設(shè)備平臺(tái)和檢測設(shè)備平臺(tái)，可以在高起點(diǎn)開展科研工作。公司總部位于深圳市，具備半導(dǎo)體裝備的研發(fā)、生產(chǎn)、調(diào)試以及半導(dǎo)體材料與器件的中試、生產(chǎn)、銷售的能力。

公司已投放市場的部分半導(dǎo)體設(shè)備

|物理氣相沉積（PVD）系列

磁控濺射鍍膜機(jī)、電子束鍍膜機(jī)、熱蒸發(fā)鍍膜機(jī)，離子束濺射鍍膜機(jī)、磁控與離子束復(fù)合鍍膜機(jī)

|化學(xué)氣相沉積（CVD）系列

MOCVD、PECVD、LPCVD、熱絲CVD、ICPECVD、等離子刻蝕機(jī)、等離子清洗機(jī)

|超高真空系列

分子束外延系統(tǒng)（MBE）、激光分子束外延系統(tǒng)（LMBE）

|成套設(shè)備

團(tuán)簇式太陽能薄膜電池中試線、OLED中試設(shè)備（G1、G2.5）

|其他

金剛石薄膜制備設(shè)備、合金退火爐、硬質(zhì)涂層設(shè)備、磁性薄膜設(shè)備、電極制備設(shè)備

|真空鍍膜機(jī)專用電源/真空鍍膜機(jī)控制系統(tǒng)及軟件

直流濺射電源、RF射頻濺射電源、高精度熱蒸發(fā)電源、高能直流脈沖電源（中頻可調(diào)脈寬）

控制系統(tǒng)及軟件

團(tuán)隊(duì)部分業(yè)績分布

自主設(shè)計(jì)制造的分子束外延（MBE）設(shè)備，包括自主設(shè)計(jì)制造的MBE超高真空外延生長室、工藝控制系統(tǒng)與軟件、高溫束源爐、高溫樣品臺(tái)、Rheed原位實(shí)時(shí)在線監(jiān)控儀（反射高能電子衍射儀）、直線型電子槍、膜厚儀（可計(jì)量外延生長的分子層數(shù)）、射頻源等關(guān)鍵部件。真空度達(dá)到2×10-8Pa。

設(shè)備于2005年在浙江大學(xué)光學(xué)儀器國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室投入使用，至今仍在正常使用。

設(shè)計(jì)制造磁控濺射與等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法PECVD技術(shù)聯(lián)合系統(tǒng)，應(yīng)用于團(tuán)簇式太陽能薄膜電池中試線。使用單位中科院電工所。

設(shè)計(jì)制造了金剛石薄膜制備設(shè)備，應(yīng)用于金剛石薄膜材料的研究與中試生產(chǎn)設(shè)備?，F(xiàn)使用單位中科院金屬研究所。

設(shè)計(jì)制造了全自動(dòng)磁控濺射設(shè)備，可加水平磁場和垂直磁場，自行設(shè)計(jì)的真空機(jī)械手傳遞基片。應(yīng)用于高密度磁記錄材料與器件的研究和中試?，F(xiàn)使用單位國家光電實(shí)驗(yàn)室。

設(shè)計(jì)制造了OLED有機(jī)半導(dǎo)體發(fā)光材料及器件的研究和中試成套裝備。現(xiàn)使用單位中國香港城市大學(xué)先進(jìn)材料實(shí)驗(yàn)室。

設(shè)計(jì)制造了MOCVD及合金退火爐，用于GaN和ZnO的外延生長，實(shí)現(xiàn)LED無機(jī)半導(dǎo)體發(fā)光材料與器件的研究和中試?，F(xiàn)使用單位南昌大學(xué)國家硅基LED工程技術(shù)研究中心。

設(shè)計(jì)制造了磁控濺射研究型設(shè)備。現(xiàn)使用單位浙江大學(xué)半導(dǎo)體所。

設(shè)計(jì)制造了電子束蒸發(fā)儀研究型設(shè)備?，F(xiàn)使用單位武漢理工大學(xué)。

團(tuán)隊(duì)在第三代半導(dǎo)體裝備及工藝方面的技術(shù)積累

2001年 與南昌大學(xué)合作

設(shè)計(jì)了中試型的全自動(dòng)化監(jiān)控的MOCVD，用于外延GaN和ZnO。

2005年與浙江大學(xué)光學(xué)儀器國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室合作

設(shè)計(jì)制造了di*yi臺(tái)完全自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的分子束外延設(shè)備，用于外延光電半導(dǎo)體材料。

2006年 與中國科技大學(xué)合作

設(shè)計(jì)設(shè)計(jì)超高溫CVD 和MBE。

用于4H晶型SiC外延生長。

2007年 與蘭州大學(xué)物理學(xué)院合作

設(shè)計(jì)制造了光學(xué)級(jí)金剛石生長設(shè)備（采用熱激發(fā)技術(shù)和CVD技術(shù)）。

2015年  中科院金屬研究所沈陽材料科學(xué)國家（聯(lián)合）實(shí)驗(yàn)室合作

設(shè)計(jì)制造了金剛石薄膜制備，制備了金剛石電極、微米晶和納米晶金剛石薄膜、導(dǎo)電金剛石薄膜。

2017年

-優(yōu)化Rheed設(shè)計(jì)，開始生產(chǎn)型MBE設(shè)計(jì)。

-開始研制PVD方法外延GaN的工藝和裝備，目前正在進(jìn)行設(shè)備工藝驗(yàn)證。

2019年 設(shè)計(jì)制造了大型熱絲CVD金剛石薄膜的生產(chǎn)設(shè)備。

2021年MBE生產(chǎn)型設(shè)計(jì)。

2022年大尺寸金剛石晶圓片制備（≥Φ6英寸）。

2023年PVD方法外延氮化鎵裝備與工藝攻關(guān)。