聚焦離子束掃描電子顯微鏡（FIB-SEM）    

型號：Crossbeam340/550

低電壓電子束分辨率提升高達(dá)30%。

無論是二維表面成像或三維重構(gòu)，蔡司Crossbeam的掃描電子束均可提供優(yōu)異的表現(xiàn)。借助于Tandem decel在樣品上施加電壓，Gemini光學(xué)系統(tǒng)可以在1kV下獲得高達(dá)1.4nm的分辨率，從而對任意樣品均可獲得的圖像。可通過一系列的探測器表征您的樣品。通過獨(dú)特的InlensEsB探測器，可獲取純的材料成分襯度信息。表征不導(dǎo)電樣品可以不受荷電效應(yīng)的影響。

通過FIB智能的刻蝕策略，其材料移除速率可提升高達(dá)40%。

在鎵離子類型的FIB-SEM中采用了大離子束束流。使用高達(dá)100nA的離子束束流可顯著節(jié)約時間，同時具有的FIB束斑形狀，從而獲得高分辨率。得益于智能的FIB掃描策略，移除材料時高效且精準(zhǔn)?？勺詣优恐迫悠?，例如截面，TEM樣品薄片或任何使用者自定義的圖形。

體驗(yàn)整合的三維能譜分析所帶來的優(yōu)勢

可使用蔡司Atlas
5軟件擴(kuò)展您的Crossbeam，它是一個針對快速而準(zhǔn)確的三維斷層成像的軟硬件包。使用Atlas5中集成的三維分析模塊可在三維斷層成像的過程中進(jìn)行能譜分析蔡司Crossbeam將Gemini電子束鏡筒和定制的聚焦離子束鏡筒結(jié)合起來，從而獲得高精度與速度。因此FIB-SEM的斷層成像可獲得優(yōu)異的三維空間分辨率和各向同性的三維體素尺寸。使用InlensEsB探測器，探測深度小于3nm，可獲得表面敏感的、材料成分襯度圖像。