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氮化鈧（CAS：25764-12-9）產(chǎn)品基礎(chǔ)信息

一、中英文別名

（一）中文別名

一氮化鈧

（二）英文別名

Scandium nitride、ScN、Monoscandium nitride

二、基礎(chǔ)信息

（一）核心標(biāo)識(shí)信息

CAS號(hào)：25764-12-9

分子式：ScN

分子量：58.96

EINECS編號(hào)：247-240-4

質(zhì)量：58.9495

PSA：23.04

LogP：無適用數(shù)值

折射率：2.120

閃點(diǎn)：不可燃無閃點(diǎn)

沸點(diǎn)：2850℃

熔點(diǎn)：2600℃

密度：4.20g/cm3（25℃）

蒸汽壓：可忽略不計(jì)（25℃）

（二）理化性質(zhì)

主要成分：氮化鈧屬于鈧系稀土過渡金屬氮化物無機(jī)功能晶體材料，氯化鈉型面心立方晶體結(jié)構(gòu)，由三價(jià)鈧離子與氮離子鍵合組成，兼具半導(dǎo)體導(dǎo)電、高硬度、耐高溫、耐腐蝕、壓電導(dǎo)熱多重性能，晶格穩(wěn)定性極強(qiáng)，具備半導(dǎo)體薄膜外延、硬質(zhì)陶瓷燒結(jié)、導(dǎo)熱電極基材、光電緩沖層、稀土氮化物配位實(shí)驗(yàn)性能，適配寬禁帶半導(dǎo)體、超硬結(jié)構(gòu)陶瓷、光電鍍膜、高溫電極、鑭系稀土氮化物教研實(shí)驗(yàn)使用，游離鈧單質(zhì)、氧化鈧、殘余碳雜質(zhì)可控，化學(xué)惰性優(yōu)異，耐高溫酸堿侵蝕，電學(xué)性能可調(diào)性優(yōu)良。

外觀形態(tài)：常溫常壓下為灰黑色至深灰結(jié)晶粉末、微晶顆粒，粉體致密干爽、無淺色氧化雜粒、無受潮板結(jié)結(jié)塊，無特殊刺激性氣味。真空惰性密閉環(huán)境儲(chǔ)存高度穩(wěn)定，常溫空氣環(huán)境緩慢表層氧化受潮；難溶于純水、醇類、酯類常規(guī)有機(jī)溶劑，可溶于熱濃強(qiáng)酸體系并分解釋放氨氣；晶體硬度高、導(dǎo)電導(dǎo)熱性能適中，常溫化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定，不易自發(fā)水解氧化。

熱穩(wěn)定特性：常溫至2200℃晶體離子鍵、晶格結(jié)構(gòu)完整，半導(dǎo)體導(dǎo)電、硬質(zhì)補(bǔ)強(qiáng)、光電外延性能無衰減，適配高溫陶瓷燒結(jié)、真空薄膜沉積、高溫電極服役工況；2600℃晶體熔融；2850℃高溫氣化分解；2900℃以上徹底裂解為金屬鈧與氮?dú)?，功能性能完全失效；無氧氮?dú)夥諊透邷匦阅埽醒醺邷匾妆韺友趸裳趸傗g化層。

沸點(diǎn)特性：常壓沸點(diǎn)極高，高溫伴隨微量晶格解離，需氮?dú)獗Ｗo(hù)高溫加工；密封干粉、惰性混懸液組分穩(wěn)定，薄膜外延、陶瓷增硬、離子導(dǎo)電性能恒定，適配半導(dǎo)體鍍膜、特種耐火陶瓷、稀土氮化物常態(tài)化實(shí)驗(yàn)作業(yè)。

密度：4.20g/cm3（25℃）稀土輕質(zhì)金屬氮化物粉體，粉體燒結(jié)致密度高，薄膜附著力強(qiáng)，禁帶寬度適配光電器件制備，導(dǎo)熱導(dǎo)電均衡，相較于氮化鋁晶格適配性更好，適配半導(dǎo)體基底緩沖層制備，真空密封存放晶型、導(dǎo)電性能、粉體純度批次統(tǒng)一。

溶解性：常溫幾乎不溶于冷水、熱水、醇酮醚全品類有機(jī)溶劑；僅高溫濃、濃硝酸可溶解分解晶格；中性、弱堿性體系完全穩(wěn)定，濃強(qiáng)酸加熱條件下分解產(chǎn)氨，可摻雜改性陶瓷、半導(dǎo)體基底材料，適配固相燒結(jié)體系、真空鍍膜體系、稀土氮化物化學(xué)實(shí)驗(yàn)體系使用。

功能特性：寬禁帶半導(dǎo)體外延緩沖層制備、超硬耐腐蝕稀土陶瓷改性、高溫導(dǎo)熱導(dǎo)電電極基材、光電元器件鈍化鍍膜、稀土金屬氮化物教研五大功效，晶格匹配度高、耐高溫氧化、介電性能穩(wěn)定、力學(xué)硬度優(yōu)異、半導(dǎo)體改性兼容性強(qiáng)，適配半導(dǎo)體光電、耐火新材料、高溫電化學(xué)、精密鍍膜、高校無機(jī)稀土化學(xué)教研多場(chǎng)景使用。

酸堿度：本品水混懸液呈中性，pH值6.9～7.3，常溫?zé)o水解電離，對(duì)玻璃、特種不銹鋼、碳化硅、PTFE器皿無腐蝕性，適配半導(dǎo)體加工、陶瓷制備專用設(shè)備器皿使用。

穩(wěn)定性：氮?dú)饷荛]、真空干燥環(huán)境性質(zhì)穩(wěn)定，氮化物晶格不易破損氧化；禁忌長期敞口高濕存放、高溫有氧焙燒、濃強(qiáng)酸加熱體系，易表層氧化水解，電學(xué)、力學(xué)功能性能衰減失效。

（三）純度分級(jí)說明

工業(yè)級(jí)：氮化鈧有效組分≥99.0%，氧化鈧、游離氮、灰分雜質(zhì)可控，基礎(chǔ)陶瓷增硬、耐火填料性能達(dá)標(biāo)，適配民用硬質(zhì)陶瓷、高溫耐火填料、稀土氮化物化工實(shí)訓(xùn)實(shí)驗(yàn)。

純：氮化鈧有效組分≥99.9%，過渡金屬、氧含量雜質(zhì)極低，晶格缺陷少，導(dǎo)電性能穩(wěn)定，適配中端光電鍍膜、電化學(xué)高溫電極、功能陶瓷科研實(shí)驗(yàn)。

分析純/半導(dǎo)體級(jí)：氮化鈧有效組分≥99.99%，痕量非金屬雜質(zhì)極低，單晶純度高，適配半導(dǎo)體外延生長、精密光電器件、晶格機(jī)理實(shí)驗(yàn)，為半導(dǎo)體專用高純稀土氮化物試劑。

（四）其他關(guān)鍵信息

銷售規(guī)格：真空氮?dú)夥庋b惰性試劑瓶分裝，半導(dǎo)體級(jí)/分析純/工業(yè)級(jí)三品級(jí)可選，一瓶起售，小批量按需采購，真空隔氧防水解、防表層氧化，適配半導(dǎo)體鍍膜企業(yè)、特種陶瓷研究院、光電材料實(shí)驗(yàn)室、高?？蒲性核少?，常溫真空專屬發(fā)貨。

儲(chǔ)存條件：10-28℃陰涼真空密封通風(fēng)儲(chǔ)存，環(huán)境濕度管控45%以下，防塵隔絕濃強(qiáng)酸、強(qiáng)氧化劑物料，有氧環(huán)境嚴(yán)禁長期開蓋，稀土氮化物專區(qū)獨(dú)立存放，阻隔水汽氧氣延緩表層氧化。

用途：氮化鎵半導(dǎo)體外延生長專用緩沖基底材料；高硬度耐腐蝕稀土結(jié)構(gòu)陶瓷燒結(jié)助劑；高溫惰性導(dǎo)電電化學(xué)電極原料；光電芯片表面鈍化防護(hù)鍍膜原料；高校稀土氮化物晶體結(jié)構(gòu)、高溫解離教學(xué)實(shí)驗(yàn)試劑；耐火導(dǎo)熱無機(jī)填料；真空工況加工、半導(dǎo)體制備、科研實(shí)驗(yàn)使用，嚴(yán)禁口服、粉體揚(yáng)塵近距離吸入。

制備工藝：高純半導(dǎo)體級(jí)以高純金屬鈧粉、高純氮?dú)鉃樵?，高溫等離子氮化、真空焙燒晶化、氣流超細(xì)粉碎、氮?dú)庹婵辗庋b制得微晶高純粉體；工業(yè)級(jí)采用氧化鈧碳熱還原氮化、除碳提純、篩分精制工藝制備，脫除氧化鈧、游離碳雜質(zhì)，劃分三級(jí)純度適配陶瓷填料、光電輔料、教研實(shí)訓(xùn)場(chǎng)景。

危險(xiǎn)性：低毒稀土金屬氮化物，常規(guī)防塵防護(hù)即可作業(yè)。粉體揚(yáng)塵吸入輕微刺激呼吸道；眼部接觸微晶顆粒摩擦刺激結(jié)膜；皮膚長期接觸干粉干燥起皮；遇熱濃強(qiáng)酸分解釋放刺激性氨氣；高溫有氧可生成稀土氧化物煙氣；本品不可燃、無爆炸風(fēng)險(xiǎn)、常溫?zé)o腐蝕、無自燃性。作業(yè)負(fù)壓防塵取用，佩戴防塵口罩、護(hù)目鏡、勞保手套，真空危化專區(qū)存放，廢棄粉體集中收集合規(guī)處置。

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