華瑞（cet）成立于1984年，是國內(nèi)Zui具競爭力之功率半導體元件制造廠。已取得多項產(chǎn)品發(fā)明專利，并經(jīng)iso14001、qs9000、iso9001認證。
華瑞（cet）是中國臺灣第一家自行研發(fā)、生產(chǎn)、銷售powermosfets自有品牌的公司。從元件設計、晶圓加工、封裝、特性分析、測試全程作業(yè)以及客戶服務，行銷全球。產(chǎn)品已被廣泛應用于m/b、nb、ups、powerinverter、ccfl、dc　fan、smps、adapter、lighting、battery、dc-dc、lcdmonitor等領域。
華瑞（cet）擁有非常齊全的功率金氧半電晶體的產(chǎn)品線及高壓閘極絕緣雙極性電晶體產(chǎn)品，也可以依客戶需求客制化制作產(chǎn)品。
華瑞（cet）擁有二十多年ic封裝經(jīng)驗以及中國臺灣功率半導體元件經(jīng)驗Zui豐富、Zui悠久的設計團隊。未來將以此為基礎，開發(fā)更先進之產(chǎn)品，以客戶服務為導向，提供的品質(zhì)與交期，以期滿足客戶之需求。
華瑞產(chǎn)品應用：
1、power tools(電動工具)：cep50n06 cep6060r
2、power inverter(逆變器，ups電源)：cep3205 cep50n06 cep9060r cep70n06cep60n10 cepf640 cepf630 cepf634 cep740n cep740a
3、e-bike(電動車控制器)：cep3205 cep9060r cep50n06 cep70n06 cep7060rcep8096 cep80n75 cep60n10
   中國臺灣華瑞cet一級代理商

2007年10月 取得中國臺灣「自我對準溝渠式功率金氧半場效電晶體(msofet)裝置及其制造方法」之發(fā)明專利（發(fā)明第i287840號）

2005年10月 取得美國「lower the on-resistance in protection circuit ofrechargeable battery by using flip-chiptechnology」之發(fā)明專利（美國發(fā)明第6,917,117號）

2005年10月取得大陸「功率金屬氧化物半導體場效晶體管裝置及其制造方法」之發(fā)明專利（大陸發(fā)明第zl01144661.7號）

2005年05月取得中國臺灣「降低功率金氧半場效電晶體(mosfet)導通電阻之封裝打線改良裝置」之新型專利（新型第m262837號）

2005年04月 取得大陸「無焊線式半導體裝置及其封裝方法」之發(fā)明專利（大陸發(fā)明第zl02102821.4號）

2004年12月 取得大陸「導線架」之發(fā)明專利（大陸發(fā)明第zl99123960.1號）

2004年05月 取得中國臺灣「利用防衛(wèi)環(huán)(guardring)連接技術以達成功率半導體元件積體電路化之方法及裝置」之發(fā)明專利（發(fā)明第196136號）

2004年05月取得大陸「充電電池保護電路用功率場效應晶體管的覆晶安裝方法」之發(fā)明專利（大陸發(fā)明第zl01110591.7號）

2004年04月取得中國臺灣「高耐雪崩崩潰電壓元件之裝置，以及提高元件耐雪崩崩潰電壓之方法」之發(fā)明專利（發(fā)明第194175號）

2003年12月 取得中國臺灣「改變功率電晶體閘極結(jié)構(gòu)改善其切換速度之方法」之發(fā)明專利（發(fā)明第182953號）

2003年09月 取得中國臺灣「無焊線式半導體裝置及其封裝方法（一）」之發(fā)明專利（發(fā)明第176589號）

2003年07月 取得中國臺灣「單相降壓型直流電源轉(zhuǎn)換器整合式封裝構(gòu)造」之新型專利（新型第199864號）

2003年05月取得中國臺灣「用于降低導通電阻之充電電池保護電路用功率電晶體的覆晶安裝方法」之發(fā)明專利（發(fā)明第168017號）

2003年04月 取得中國臺灣「半導體功率元件之封裝方法及及其裝置」之發(fā)明專利（發(fā)明第163944號）

2003年03月 取得中國臺灣「無焊線式半導體裝置及其封裝方法（二）」之發(fā)明專利（發(fā)明第165175號）

2002年09月 取得中國臺灣「利用井區(qū)漸層式摻雜降低功率mosfet漏電流及提升崩潰電壓之方法及其裝置」之發(fā)明專利（發(fā)明第154006號）

2002年09月 取得中國臺灣「降低磊晶層電阻值之溝渠式功率mos et裝置及其制造方法」之發(fā)明專利（發(fā)明第152521號）

2002年08月 取得中國臺灣「具有減少反向漏電流急變且提高耐雪崩崩潰電流能力之功率mosfet裝置及其制造方法」之發(fā)明專利（發(fā)明第151542號）

2002年07月取得中國臺灣「用于控制絕緣閘極雙極性電晶體(igbt)裝置切換速率之方法,以及絕緣閘極雙極性電晶體(igbt)裝置及其制造方法」之發(fā)明專利（發(fā)明第151899號）

2002年06月 取得中國臺灣「低導通電阻值功率mosfet裝置及其制造方法」之發(fā)明專利（發(fā)明 第151091號）

2002年06月取得中國臺灣「在相同元件面積下以平面式技術取得具有溝渠式技術低導通電阻值之功率mosfet裝置及其制造方法」之發(fā)明專利（發(fā)明第151089號）

2002年06月 取得中國臺灣「平面式超低導通電阻值之功率mosfet裝置及其制造方法」之發(fā)明專利（發(fā)明第151088號）

2002年05月 取得中國臺灣「具有低接觸電阻值之功率mos fet裝置」之新型專利（新型第185499號）

2002年04月取得中國臺灣「降低導通電阻值及增加耐雪崩崩潰電流能力之功率mosfet裝置及其制造方法」之發(fā)明專利（發(fā)明第147333號）

2002年03月取得中國臺灣「利用離子植入技術提升功率mosfet電晶體開關速率之方法及其裝置」之發(fā)明專利（發(fā)明第145832號）

2002年03月 取得中國臺灣「溝渠式功率mosfet之改良結(jié)構(gòu)及其制造方法」之發(fā)明專利（發(fā)明第144201號）

2001年04月 取得中國臺灣「高功率電晶體在塑膠封裝產(chǎn)品的導線架設計(一)」之新型專利（新型第153576號）

深圳凱吉爾科技有限公司 中國臺灣華瑞mos管一級代理商（大量庫存現(xiàn)貨同行Zui優(yōu)勢價，歡迎各采購商來電恰談！
本公司承諾所有售出產(chǎn)品質(zhì)量保證，如在使用過程中有任何質(zhì)量問題包退包換產(chǎn)品常年備貨，全球Zui低價！

咨詢熱線： 龔r

 以下是電焊機普遍使用to-220封裝mosfet的料

 cep4060a     to-220   
 cep20p06     to-220   
 cep6336      to-220   
 cep6601      to-220   
 cep6060n     to-220   
 cep12p10     to-220   
 cepf640       to-220 

以下是ups普遍使用to-220封裝mosfet的料

cep3205

cep93a3
 
cep83a3g

cep740

cep640

cep60n10

型號太多，在此不便一一列舉。如您對我們的產(chǎn)品有興趣，請與我們聯(lián)系。

主要有鋰電池保護板用的封／ceg8205a（tssop-8封裝2n）主要應用在mp3、mp4藍

牙耳機、手機電池保護板，pdvd保護板，礦燈電池保護板，電源開關。體積小，

內(nèi)阻低?！?cem4435（sop-8封裝）用在筆記本pc，pdvd電池保護板　 cem9435（

sop-8封裝）用在lcd　inverter升壓板，讀卡器，車載電源　 4、cem4953（sop

-8封裝）應用大型led顯示屏，pdvd電池保護板等　 5、ssm8405（n＋p）應用在

電動遙控玩具，lcd　inverter高壓板（控制半橋電路）　 6、ces2309（sot-23

單p）／sss2308（單n）應用在mp3　mp4主板，數(shù)碼相機，應用在鋰電池保護板。