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回收新舊IG模塊產品描述型中空板FD800RF6C_B2封裝材料塑料封裝控制方式雙向特性中頻功率特性率封裝外形底形關斷速度普通散熱功能不帶散熱片控制極觸發(fā)電壓800A控制極觸發(fā)電流800A正向重復峰值電壓1700V反向阻斷。
　　回收IG模塊、從結構上講，IG主要有三個發(fā)展方向：1、IG縱向結構：非集電區(qū)NPT型、帶緩沖層的PT型、集電區(qū)NPT型和FS電場截止型；2、IG柵極結構：面柵機構、Trench溝槽型結構；3、硅片加工工藝：外延生長、?。
　　在IG使用過程中，可以通過控制其集-射極電壓UCE和柵-射極電壓UGE的大小，從而實現(xiàn)對IG導通/關斷/阻斷狀態(tài)的控制：1、當IG柵-射極加上加0或負電壓時，MOSFET內溝道消失，IG呈關斷狀態(tài)；2、當集-射極電壓UCE＜0時，J3的PN結處。