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回收新舊IG模塊產(chǎn)品描述型中空板FD800RF6C_B2封裝材料塑料封裝控制方式雙向特性中頻功率特性率封裝外形底形關(guān)斷速度普通散熱功能不帶散熱片控制極觸發(fā)電壓800A控制極觸發(fā)電流800A正向重復(fù)峰值電壓1700V反向阻斷。
　　回收IG模塊、從結(jié)構(gòu)上講，IG主要有三個發(fā)展方向：1、IG縱向結(jié)構(gòu)：非集電區(qū)NPT型、帶緩沖層的PT型、集電區(qū)NPT型和FS電場截止型；2、IG柵極結(jié)構(gòu)：面柵機構(gòu)、Trench溝槽型結(jié)構(gòu)；3、硅片加工工藝：外延生長、?。
　　在IG使用過程中，可以通過控制其集-射極電壓UCE和柵-射極電壓UGE的大小，從而實現(xiàn)對IG導(dǎo)通/關(guān)斷/阻斷狀態(tài)的控制：1、當(dāng)IG柵-射極加上加0或負(fù)電壓時，MOSFET內(nèi)溝道消失，IG呈關(guān)斷狀態(tài)；2、當(dāng)集-射極電壓UCE＜0時，J3的PN結(jié)處。