半導體制造商英飛凌（Infineon）宣布投資11億歐元，在其奧地利菲拉赫基地建設全球首條高產量300毫米晶圓氮化鎵（GaN）功率半導體生產線。該產線投產后將主要面向數據中心市場，用于維持相關設施的電力供應。

此次擴產同步推出一款針對AI數據中心配電系統(tǒng)的高壓參考設計。該配電板支持客戶在±400伏和800伏電壓下評估供電架構，便于在投產前進行系統(tǒng)測試。

在數據中心合作方面，英飛凌于10月21日與英偉達（NVIDIA）達成協議，雙方將聚焦基于氮化鎵的800伏直流架構AI數據中心電源系統(tǒng)，重點開發(fā)高壓中間總線轉換器。

此外，英飛凌已鎖定碳化硅（SiC）襯底供應。10月15日，公司與Wolfspeed簽署多年期協議，采購200毫米晶圓。此舉旨在支持英飛凌逐步淘汰150毫米制造并拓寬襯底采購渠道。

在汽車電子領域，英飛凌推出ENDOPACK品牌芯片嵌入解決方案。其中ENDOPACK Cell為通過車規(guī)認證的高壓產品，可直接集成至印刷電路板，采用其1200伏Automotive Gen2 CoolSiC MOSFET技術。同時，公司推出LinearFET MOSFET技術，面向電動汽車固態(tài)配電系統(tǒng)及軟件定義汽車。OptiMOS-7系列車規(guī)MOSFET新增TOLL封裝型號，具備低導通電阻特性，適用于12伏及48伏車載系統(tǒng)。另外，一款結合AURIX TC4x微控制器與并行處理單元的高壓電池管理參考設計也已發(fā)布，可讓電池模型直接在電池管理單元上運行。

在產業(yè)生態(tài)方面，英飛凌聯合微軟、英偉達及UnternehmerTUM加速器于周四啟動“Physical AI Growth Lab”項目。該項目面向歐洲物理AI、機器人與工業(yè)AI初創(chuàng)企業(yè)，將于2027年1月至4月運行，且不收取任何股權。英飛凌還計劃于11月10日至13日在慕尼黑electronica展會上展示涵蓋物理AI、機器人、移動出行、邊緣設備、軟件定義汽車及配電基礎設施的技術與系統(tǒng)方案。

資料來源：ad-hoc-news.de；原文發(fā)布日期：2026-10-27。本文為資料編譯。