英飛凌（Infineon Technologies）宣布投資約11億歐元，在其位于奧地利菲拉赫（Villach）的基地建立全球首家300毫米氮化鎵（GaN）功率半導(dǎo)體高容量制造工廠。該項目預(yù)計于2027年底前啟動生產(chǎn)，投資期將持續(xù)至2034年。

新工廠將依托菲拉赫現(xiàn)有的潔凈室基礎(chǔ)設(shè)施進行擴建，以降低擴張成本。英飛凌已于2024年成功加工首批300毫米氮化鎵晶圓，該技術(shù)相比傳統(tǒng)200毫米工藝，單片晶圓可產(chǎn)出約2.3倍數(shù)量的芯片。目前公司正將該技術(shù)推向高容量量產(chǎn)，產(chǎn)能爬坡將與市場需求同步。

英飛凌首席執(zhí)行官Jochen Hanebeck表示，此次大規(guī)模投資彰顯了公司強化歐洲半導(dǎo)體生態(tài)與技術(shù)主權(quán)的決心。通過率先實現(xiàn)300毫米晶圓上的氮化鎵功率電子器件量產(chǎn)，英飛凌將推動該技術(shù)在人工智能數(shù)據(jù)中心、電動汽車及工業(yè)系統(tǒng)中的普及。

氮化鎵器件相較于傳統(tǒng)硅基功率器件具有更快的開關(guān)速度、更低的功耗損耗和更少的發(fā)熱量，有助于構(gòu)建體積更小、效率更高的電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)。

該項目獲得歐盟《芯片法案》批準的3.19億歐元國家援助支持。奧地利聯(lián)邦經(jīng)濟、能源與旅游部的正式資金審批仍在進行中。此舉旨在提升歐洲半導(dǎo)體制造能力，并促進產(chǎn)業(yè)界、高校、研究機構(gòu)及中小科技企業(yè)的合作。

隨著人工智能基礎(chǔ)設(shè)施、能源系統(tǒng)、電動出行和機器人領(lǐng)域?qū)Ω咝щ娫崔D(zhuǎn)換需求的增長，氮化鎵功率半導(dǎo)體的市場需求預(yù)計將加速上升。根據(jù)Yole Group發(fā)布的《Power GaN 2026》報告，全球氮化鎵功率半導(dǎo)體市場規(guī)模預(yù)計在2031年達到約35億美元，2025年至2031年年均增長率約為35%。英飛凌轉(zhuǎn)向300毫米制造，將為氮化鎵從利基應(yīng)用向主流電源電子擴展提供規(guī)?；窂?。

資料來源：Eenews Europe；原文發(fā)布日期：2026-10-27。本文為資料編譯。