半導(dǎo)體企業(yè)onsemi（安森美）于2026年9月正式發(fā)布面向功率半導(dǎo)體的新架構(gòu)“嵌入式功率平臺（Embedded Power Platform，簡稱EPP）”。該技術(shù)首次將12英寸硅晶圓本身直接用作器件封裝，通過在開發(fā)初期同步優(yōu)化電氣、機(jī)械與熱設(shè)計(jì)，有望實(shí)現(xiàn)3至5倍的功率密度提升。

EPP架構(gòu)將功率器件、柵極驅(qū)動器和控制器等芯片嵌入12英寸硅晶圓內(nèi)部，并通過晶圓級重布線層（RDL）進(jìn)行互連。極短的走線長度有效降低了寄生電感，從而減少噪聲干擾、防止誤動作，同時降低浪涌電壓以提升開關(guān)速度。由于直接沿用成熟的半導(dǎo)體制造工藝，晶圓內(nèi)部可直接形成超薄絕緣層，在不增加安裝面積的前提下實(shí)現(xiàn)可靠絕緣，并顯著降低熱阻。

封裝成型后，EPP模塊將被安裝至功率模組，底部連接基板與冷卻夾套散熱，頂部引出電極與端子對接外部電路。

onsemi指出，因EPP所用材料多來自其自有產(chǎn)線，可實(shí)現(xiàn)高精度的物性建模，結(jié)合數(shù)字孿生仿真與多物理場協(xié)同優(yōu)化，能大幅壓縮設(shè)計(jì)周期。公司稱已有案例將開發(fā)時間縮短至Zui短4個月。

該架構(gòu)兼容硅（Si）、碳化硅（SiC）及氮化鎵（GaN）等材料，包括onsemi重點(diǎn)布局的垂直型GaN器件，未來亦支持新型材料與結(jié)構(gòu)。技術(shù)上還可嵌入電容器等無源元件，通過調(diào)整嵌入芯片的種類與數(shù)量，可覆蓋廣泛的電力應(yīng)用場景。

在典型應(yīng)用方面，onsemi列舉了AI基礎(chǔ)設(shè)施的固態(tài)變壓器（SST）、斷路器、電動汽車（EV）快充樁及儲能系統(tǒng)。采用EPP設(shè)計(jì)的AI斷路器較現(xiàn)有方案小型化50%且溫降20%；應(yīng)用于EV牽引逆變器時，可實(shí)現(xiàn)Zui高4倍功率密度提升與15%的功耗降低。

onsemi計(jì)劃于2026年中向AI及汽車領(lǐng)域的客戶與合作伙伴提供EPP樣品。