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鍍膜工藝流程中工藝參數(shù)的控制和對(duì)膜層沉積的影響：

本底真空度:本底真空度越高爐內(nèi)雜氣量(包括水氣)越少，這保證鍍膜時(shí)反應(yīng)氣體的純度，從而保證膜層顏色的純正和光澤鮮亮。一般本底真空應(yīng)該進(jìn)入5-7*10-3。

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從鍍膜的原理及特點(diǎn)看，真空蒸鍍工件不帶電，真空條件下金屬加熱蒸發(fā)沉積到工件表面，沉積粒子的能量與蒸發(fā)時(shí)的溫度對(duì)應(yīng)。濺射的工件為陽極，靶為陰極，利用原子的濺射作用把靶材原子擊出而沉積在工件表面上，塑膠鍍膜反光杯，沉積原子的能量由被濺射原子的能量分布決定。離子鍍的工件為陰極，蒸發(fā)源為陽極，進(jìn)入輝光放電空間的金屬原子離子化后奔向工件，并在工件表面沉積成膜，沉積過程中離子對(duì)基片表面、膜層與基片的界面以及膜層本身都發(fā)生轟擊作用，粒子的能量決定于陰極上所加的電壓。

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真空鍍膜之磁控濺射鍍膜 ：

磁控濺射的基本原理是電子在電場(chǎng)作用下加速飛向基片的過程中與原子發(fā)生碰撞，塑膠鍍膜反光杯哪里有，若電子具有足夠的能量時(shí)，則電離出離子和另一個(gè)電子（二次電子）。電子飛向基片，離子在電場(chǎng)作用下加速飛向陰極 （濺射靶）并以高能量轟擊靶表面，使靶材發(fā)生濺射。在濺射粒子中，中性的靶原子（或分子）沉積在基片上形成薄膜，二次電子在加速飛向基片時(shí)受磁場(chǎng)的洛侖茲力作用以擺線和螺旋線狀的復(fù)合形式在靶表面作圓周運(yùn)動(dòng)。

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