技術(shù)參數(shù)

品牌：IR型號(hào)：IRKT162-16批號(hào)：16+封裝：MODULE數(shù)量：1460對(duì)無(wú)鉛要求的達(dá)標(biāo)情況 / 對(duì)限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范的達(dá)標(biāo)情況：無(wú)鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求濕氣敏感性等級(jí)（MSL）：1（無(wú)限）制造商標(biāo)準(zhǔn)提前期：17 周系列：HEXFET?包裝：剪切帶（CT） ,帶卷（TR） 零件狀態(tài)：在售FET類(lèi)型：P溝道技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）漏源極電壓（Vdss）：30V電流-連續(xù)漏極（Id）（25°C時(shí)）：9.2A（Ta）驅(qū)動(dòng)電壓（Zui大RdsOn，Zui小RdsOn）：4.5V，10V不同Id時(shí)的Vgs（th）（Zui大值）：2.4V@25μA不同Vgs時(shí)的柵極電荷 （Qg）（Zui大值）：38nC@10V不同Vds時(shí)的輸入電容（Ciss）（Zui大值）：1110pF@25V柵源電壓 Vgss：±20VFET功能：-功率耗散（Zui大值）：2.5W（Ta）不同 Id，Vgs時(shí)的 RdsOn（Zui大值）：19.4毫歐@9.2A，10V工作溫度：-55°C~150°C（TJ）安裝類(lèi)型：表面貼裝(SMT)供應(yīng)商器件封裝：8-SO封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm寬）