3.6VCES集射極截止電壓0~5000V集電極電流ICES：0.01～1mA±3%±0.001mA；1～10mA±2%±0.01mA；10～50mA±1%±0.1mA；集電極電壓VCES：0-5000V±1.5%±2V；*3.7ICES集射極截止電流0.01～50mA集電極電壓VCES：50～500V±2%±1V；500～5000V±1.5%±2V；集電極電流ICES：0.001～1mA±3%±0.001mA；1～10mA±2%±0.01mA；10～150mA±1%±0.1mA；*3.8VCE(sat)飽和導(dǎo)通壓降0.001～10V集電極電流ICE：0-1600A集電極電壓VCEs：0.001～10V±0.5%±0.001V柵極電壓Vge：5～40V±1%±0.01V集電極電流ICE：0～100A±1%±1A；100～1600A±2%±2A；*3.9Iges柵極漏電流0.01～10μA柵極漏電流IGEs：0.01～10μA±2%±0.005μA柵極電壓Vge：±1V～40V±1%±0.1V；Vce=0V；*3.10VF正向特性測(cè)試0.1～5V二極管導(dǎo)通電壓Vf：0.1～5V±1%±0.01V電流IF：0～100A±2%±1A；100～1600A±1.5%±2A；

3、技術(shù)指標(biāo)*3.1機(jī)臺(tái)可測(cè)試器件類型二極管、MOSFET、IGBT單管及模組*3.2機(jī)臺(tái)可測(cè)IGBT項(xiàng)目及測(cè)試范圍VGE(th)柵極閾值電壓VCES集射極截止電壓ICES集射極截止電流VCE(sat)飽和導(dǎo)通壓降Iges柵極漏電流VF二極管導(dǎo)通電壓可以測(cè)5000V，1600A以下的IGBT模塊*3.3機(jī)臺(tái)可測(cè)MOS項(xiàng)目Vf、Vdsat、IGSS、Vgth、BVdss、Rds(on)、Gfs3.4測(cè)試項(xiàng)目測(cè)量范圍測(cè)試條件與精度*3.5VGE(th)柵極閾值電壓0.1～10VVGE：0.1～10V±1%±0.01V；解析度：0.01V集電極電流Ic：10～50mA±1%±0.5mA；50～200mA±1%±1mA；200～1000mA±1%±2mA；

測(cè)試參數(shù)多且完整、應(yīng)用領(lǐng)域更廣泛，但只要使用其基本的2項(xiàng)功能：「開啟」電流壓降，檢修用IGBT測(cè)試儀廠家，「關(guān)閉」電流的漏電流，就可知道大功半導(dǎo)體有沒(méi)有老化的現(xiàn)象。

?可移動(dòng)型儀器，使用方便，測(cè)試簡(jiǎn)單快速，中國(guó)香港IGBT測(cè)試儀廠家，立即提供測(cè)試結(jié)果與數(shù)值。

?適用的半導(dǎo)體元件種類多，尤其能測(cè)大功率元件。

?用戶能確實(shí)掌握新采購(gòu)元件的質(zhì)量，避免用到瑕疵或品。

?完全由計(jì)算機(jī)控制、快速的設(shè)定參數(shù)。

?適用于實(shí)驗(yàn)室和老化篩選的測(cè)試。

?操作非常簡(jiǎn)單、速度快。

?完全計(jì)算機(jī)自動(dòng)判斷、自動(dòng)比對(duì)。

華科功率器件測(cè)試儀-中國(guó)香港IGBT測(cè)試儀廠家由深圳市華科智源科技有限公司提供。深圳市華科智源科技有限公司（www.igbts.com.cn）是一家從事“IGBT測(cè)試儀,功率器件測(cè)試儀,首件檢測(cè)儀”的公司。自成立以來(lái)，我們堅(jiān)持以“誠(chéng)信為本，穩(wěn)健經(jīng)營(yíng)”的方針，勇于參與市場(chǎng)的良性競(jìng)爭(zhēng)，使“華科智源,HUSTEC,”品牌擁有良好口碑。我們堅(jiān)持“服務(wù)為先，用戶至上”的原則，使華科智源在電子測(cè)量?jī)x器中贏得了眾的客戶的信任，樹立了良好的企業(yè)形象。特別說(shuō)明：本信息的圖片和資料僅供參考，歡迎聯(lián)系我們索取準(zhǔn)確的資料，謝謝！