當(dāng)前碳化硅功率模塊主要有引線鍵合型和平面封裝型兩種。為了充分發(fā)揮碳化硅功率器件的高溫、高頻優(yōu)勢(shì)，必須不斷降低功率模塊的寄生電感、降低互連層熱阻，并提高芯片在高溫下的穩(wěn)定運(yùn)行能力。目前碳化硅功率模塊存在的主要問(wèn)題有：

   （1）采用多芯片并聯(lián)的碳化硅功率模塊，由于結(jié)電容小、開(kāi)關(guān)速度高，因此在開(kāi)關(guān)過(guò)程中會(huì)出現(xiàn)極高的電流上升率（di/dt）和電壓上升率（dv/dt），在這種情況下會(huì)產(chǎn)生較嚴(yán)重的電磁干擾和額外損耗，無(wú)法發(fā)揮碳化硅器件的優(yōu)良性能。

   （2）碳化硅功率模塊的封裝工藝和封裝材料基本沿用了硅功率模塊的成熟技術(shù)，在焊接、引線、基板、散熱等方面的創(chuàng)新不足，功率模塊雜散參數(shù)較大，可靠性不高。

   （3）碳化硅功率高溫封裝技術(shù)發(fā)展滯后。目前碳化硅器件高溫、高功率密度封裝的工藝及材料尚不完全成熟。為了發(fā)揮碳化硅功率器件的高溫優(yōu)勢(shì)，必須進(jìn)一步研發(fā)先進(jìn)燒結(jié)材料和工藝，在高溫、高可靠封裝材料及互連技術(shù)等方面實(shí)現(xiàn)整體突破。