C15100 半導(dǎo)體引線框架銅帶

C15100（UNS C15100，國標(biāo) TZr0.1，歐標(biāo) CW120C，日標(biāo) C1510）屬于銅鋯二元析出強(qiáng)化鋯銅合金，執(zhí)行ASTM B747、ASTM B888標(biāo)準(zhǔn)，是功率半導(dǎo)體、分立器件引線框架主流高導(dǎo)電基材，兼顧接近純銅的導(dǎo)電導(dǎo)熱能力與優(yōu)于紫銅的高溫抗軟化性能，滿足 RoHS、REACH環(huán)保規(guī)范，無鈹無鉻，適配半導(dǎo)體封裝的精密蝕刻、沖壓、電鍍工序。

合金以高純電解銅為基體，鋯含量 0.05%～0.15%，銅余量，嚴(yán)格管控鐵、鉛、鉍等雜質(zhì)。依靠時效析出 Cu?Zr納米彌散相釘扎晶界實現(xiàn)強(qiáng)化，區(qū)別于 C19400、C19210鐵磷銅依靠冷加工硬化的方式；鋯元素同時起到凈化基體、細(xì)化晶粒的作用，降低內(nèi)部夾雜，提升帶材表面平整度，減少封裝后分層、虛焊隱患。

常規(guī)供貨狀態(tài)覆蓋軟態(tài)、半硬、硬態(tài)、時效硬態(tài)。時效硬態(tài)抗拉強(qiáng)度 420～490MPa，維氏硬度120～150HV，斷后伸長率≥4%；導(dǎo)電率穩(wěn)定在 90%～95% IACS，熱導(dǎo)率約 360W/(m?K)，熱膨脹系數(shù)17.6×10??/K，和硅芯片、塑封料匹配性良好。帶材晶粒均勻，表面光潔度高，適合高速精密沖壓與化學(xué)蝕刻，沖裁毛刺少，蝕刻線條輪廓清晰，滿足高密度引線框架精細(xì)化成型要求。

C15100 核心優(yōu)勢是高導(dǎo)電、耐高溫軟化、電鍍適配性好。在 SMT回流焊、塑封高溫烘烤工序中，不易發(fā)生軟化變形，引線框架引腳平整度穩(wěn)定；導(dǎo)熱能力突出，可快速帶走功率芯片工作熱量，降低器件溫升。鍍銀、鍍鎳、鍍金后鍍層結(jié)合牢固，耐氧化、抗硫化，引線鍵合穩(wěn)定性佳。對比C19400，導(dǎo)電率高出不少；對比 SE-Cu58純銅，強(qiáng)度、耐熱與抗應(yīng)力松弛更有優(yōu)勢。短板是彈性有限，不適合長期往復(fù)插拔的連接器彈片。

產(chǎn)品形態(tài)為精密冷軋銅帶，厚度 0.08mm 起，支持精密分條、精磨整平，主要用于 MOS管、IGBT、二極管、三極管、可控硅等功率半導(dǎo)體引線框架，也用于整流器件、光電器件基座、大功率分立器件封裝基材。在功率器件小型化、高散熱需求趨勢下，C15100成為兼顧散熱、導(dǎo)電、封裝可靠性的優(yōu)選材料。

C15100銅帶可配套材質(zhì)證明、SGS、力學(xué)與導(dǎo)電檢測報告，深圳現(xiàn)貨資源充足，支持試樣裁切與批量供貨，適配半導(dǎo)體封裝廠連續(xù)化量產(chǎn)。