工控設(shè)備維修就找常州凌肯     LK8606

    專用模塊中的六個FRED芯片連成一個三相整流橋，一個IGBT芯片和一個FRED芯片串聯(lián)成一個制動器，而一個SCR芯片串聯(lián)在三相整流橋的正輸出端作為動力開關(guān)，模塊內(nèi)部電聯(lián)接圖如圖2所示：2.2模塊的功能2.2.1用專用模塊替代分立的SR三相整流橋模塊，機械接觸器和分立的IGBT開關(guān)后，使之具有體積小，重量輕，結(jié)構(gòu)緊湊，可靠性高，外接線簡單，互換性好，便于維修和安裝等特點。

由于電路連線已在模塊內(nèi)完成，并采用與PCB板一樣能刻蝕出各種圖形結(jié)構(gòu)的AlNDBC覆銅板，因此大大縮短了模塊內(nèi)元器件之間的連線，并減少連線數(shù)，使裝置電路的寄生電感和寄生電容值大大降低，有利于實現(xiàn)裝置的高頻化。

此外，由于專用模塊的各主電子，控制子和輔助接線端子與模塊銅底板之間具有大于2.5kV以上的有效值絕緣耐壓VISO，使之能與裝置內(nèi)其它各種模塊(如IGBT模塊，功率MOSFET模塊，F(xiàn)RED模塊等)共同安裝在同一接地的散熱器上，有利于裝置體積的進一步縮小，簡化裝置結(jié)構(gòu)設(shè)計，這特別適用于對空間要求十分嚴格的，航天，航空等領(lǐng)域的應(yīng)用，并達到節(jié)材節(jié)電的目的。

2.2.2由于EMI低通濾波器內(nèi)存在電容器，致使三相整流橋的輸入電壓變得非?！坝病?，在此情況下，當(dāng)三相整流橋內(nèi)的整流二極管電流從一個整流二極管支路換相到另一個整流二極管支路時，在整流二極管重新恢復(fù)反向阻斷能力之前，有一個很短的猶如短路狀況的時間間隔，此時將產(chǎn)生一個較高的di/dt電平和反向恢復(fù)峰值電流(IRM)，而IRM又取決于di/dt值，并隨di/dt的增高而增大。

此外，由于變頻器內(nèi)開關(guān)器件(IGBT，功率MOSFET，IGCT)和FRED的高速通斷轉(zhuǎn)換，使之產(chǎn)生高的di/dt和dv/dt，結(jié)合電路的寄生電感和電容，使之產(chǎn)生大量的電磁干擾(EMI)，使變頻裝置的輸入端產(chǎn)生較大的共模干擾和差模干擾，從而產(chǎn)生諧波和波形嚴重失真。

當(dāng)采用反向恢復(fù)時間(t)短(納秒級)和反向恢復(fù)峰值電流小的FRED替代SD后，就可完全消除這種影響。對裝置的EMI檢測表明，當(dāng)逆變器的頻率在10～200kHz范圍內(nèi)，可使EMI噪聲電平降低15分貝(dB)，若采用t。

在1微妙左右的快恢復(fù)二極管(FRD)時，則可降低EMI噪聲電平10分貝(dB)〔1〕，從而可降低濾波器的電感和電容值，并縮小它們的外形尺寸，因而減少成本，并降低變頻裝置對電網(wǎng)及周邊設(shè)備的污染和干擾。圖3示出了同容量FRED(a)和SD(b)的反向恢復(fù)峰值電流波形的比較。

t(a)比t(b)短得多，而同容量FRED的IRM約為SD的左右，這就大大有利于整流橋內(nèi)整流二極管快速重新恢復(fù)反向阻斷能力和因IRM的減小而降低di/dt值，有利于EMI噪聲電平的降低。2.2.3用SCR替代機械接觸器，實現(xiàn)了無觸點的電力半導(dǎo)體動力開關(guān)的目的，避免了因帶弧開關(guān)和潮濕，粉塵等環(huán)境條件的影響，使機械接觸器的觸頭經(jīng)常損壞的現(xiàn)象，因而提高了裝置的工作穩(wěn)定性和可靠性，延長裝置的壽命。由圖可見。

2.2.4用不可控三相整流橋向變頻器的逆變電路供電時，不能實現(xiàn)功率的雙向傳輸，也無法實現(xiàn)電動機快速和頻繁的制動要求，更不能實現(xiàn)當(dāng)變頻器短路或逆變失敗時，將儲存在逆變電路中的能量立即饋送到交流工頻電網(wǎng)的要求，為此采用IGBT與FRED串聯(lián)電路作為動力制動單元，實現(xiàn)了將回饋能量耗散在制動電阻上的目的。