型號：IRF7606TR
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
產(chǎn)品族：晶體管-FET MOSFET 單
系列 HEXFET
FET 類型：P 溝道
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓：30V
電流 連續(xù)漏極（25°C 時） ：3.6A（Ta）
驅(qū)動電壓：4.5V，10V
不同 Id，Vgs 時的 Rds On：90 毫歐 2.4A 10V
不同 Id 時的 Vgs（th）：1V 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷：30nC 10V
Vgs：±20V
不同 Vds 時的輸入電容：520pF 25V
功率耗散：1.8W（Ta）
工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型：表面貼裝
供應(yīng)商器件封裝：Micro8
封裝/外殼：8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 寬）
我司主營 集成電路IC 光耦 內(nèi)存芯片 二三極管 等原裝元器件
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