什么是ta-C金剛石涂層

ta-C 金剛石涂層即四面體非晶碳（tetrahedral amorphous carbon）涂層，是類金剛石涂層（DLC）的一種，屬于無氫 DLC 涂層。其顯微硬度可達 3000 – 8500hv。

當(dāng)ta-C顯微硬度超過7500HV時，其各種材料物性已經(jīng)非常接近天然金剛石。我們習(xí)慣稱為金剛石涂層。有別于CVD的900℃高溫高壓沉積技術(shù)，納峰離子源ta-C，可以在80℃沉積完美的金剛石涂層，高結(jié)合力且基本不受材料類型限制。

理想材料中，石墨為平面結(jié)構(gòu)，的sp2；金剛石為立體結(jié)構(gòu)，的sp3。而DLC為sp2和sp3的雜化物。通常說的DLC涂層，為黑灰色高sp2含量的碳膜，10-20%的含氫量。通常ta-C涂層，為sp3含量超過30%的碳膜。

ta-C膜具有高導(dǎo)熱性，由于膜結(jié)構(gòu)，個人偏向于1000W/m.k這個數(shù)值。但是依然大幅高于普通材料。

在膜厚低于20nm時，ta-C涂層，即使在藍(lán)關(guān)區(qū)域，依然具有高于90%的可見光透過性。受制于涂層制備工藝和時間成本限制，PVD法無法制備厚的金剛石涂層。而CVD工藝可以。

低溫高能的沉積方式

金剛石膜的生產(chǎn)速率R，完全由C+離子通量決定。而低溫高離子能量的沉積模式，需要產(chǎn)生大于幾毫安每平方厘米的高電流密度的電源支持。

sp3鍵含量，在100ev的能量下，可以獲得極大值，約85%。

彎管磁過濾真空陰極電弧離子鍍裝置，通過直管加彎管設(shè)計，可實現(xiàn)對等離子體中的雜質(zhì)、大顆粒的高效去除，可沉積低表面粗糙度和更完美的膜材料。但是由于彎管過濾掉了一半以上的顆粒和離子，膜沉積速度明顯降低。更好的過濾效果，意味著更低的沉積效率。

因此，納峰更廣泛的使用非過濾弧的ta-C，以實現(xiàn)涂層品質(zhì)和產(chǎn)能的均衡。