碳化硅襯底檢測采用理化分析、晶體缺陷表征、電學性能測試及表面微觀形貌觀測，精準測定晶型純度、晶格完整性、微管與位錯密度、電阻率、熱導率等關(guān)鍵指標，嚴格篩查表面顆粒、劃痕、粗糙度及亞表面缺陷，評估雜質(zhì)含量與界面質(zhì)量，保障襯底滿足功率器件、射頻芯片的高可靠性要求。檢測依據(jù)半導體材料國家標準與行業(yè)規(guī)范，數(shù)據(jù)精準可追溯，適用于襯底出廠質(zhì)檢、外延工藝適配驗證、來料驗收及研發(fā)性能標定，支撐第三代半導體器件制造與品質(zhì)控制。

應用場景

新能源汽車功率器件、5G射頻通信芯片、工業(yè)高壓變流器、光伏逆變器模塊、航空航天電子器件、軌道交通牽引控制、高頻加熱電源、智能電網(wǎng)設(shè)備、半導體外延生長基底、高溫傳感器元件、激光二極管基底、微波器件襯底、醫(yī)療高頻設(shè)備、核能控制系統(tǒng)、電子裝備

檢測范圍

4H-SiC 襯底、6H-SiC 襯底、半絕緣型襯底、導電型襯底、N 型摻雜襯底、高純半絕緣襯底、2 英寸襯底、4 英寸襯底、6英寸襯底、8 英寸襯底、拋光片襯底、研磨片襯底、外延級襯底、器件級襯底、科研級襯底

檢測項目

晶型結(jié)構(gòu)與純度、晶格常數(shù)、X射線搖擺曲線半高寬、微管密度、位錯密度、表面粗糙度、顆粒缺陷密度、劃痕與裂紋、電阻率、載流子濃度、遷移率、熱導率、雜質(zhì)元素含量、總厚度變化與翹曲度

檢測標準

1、GB/T 43612-2023《碳化硅晶體材料缺陷圖譜》

2、GB/T 43493.3-2023《半導體器件 功率器件用碳化硅同質(zhì)外延片缺陷的無損檢測識別判據(jù) 第 3部分：光致發(fā)光檢測方法》

3、SJT 11864-2022《半絕緣型碳化硅單晶襯底》

4、GB/T 32188-2015《半導體單晶材料結(jié)晶質(zhì)量測試方法 X 射線搖擺曲線法》

5、GB/T 1552-2018《半導體材料電阻率測試方法》

6、GB/T 30655-2014《半導體材料熱導率測試方法》

7、GB/T 24576-2009《半導體晶片表面粗糙度測試方法》

8、GB/T 22452-2008《半導體晶片翹曲度測試方法》

檢測周期

到樣后5-7個工作日（可加急），根據(jù)樣品及其檢測項目/方法會有所變動，具體需咨詢工程師。

上海復達檢測集團的優(yōu)勢

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