硅片薄膜屬于半導體與光伏領(lǐng)域高端超薄基材材料，檢測以理化成分、光電性能、尺寸精度、表面品質(zhì)及耐環(huán)境性能為核心開展全套檢測作業(yè)。運用精密檢測設備完成厚度管控、電阻率測試、晶格結(jié)構(gòu)分析、透光特性及附著力等多項試驗，及時排查薄膜厚薄不均、電學參數(shù)異常、表面劃痕脫落、光電轉(zhuǎn)化率偏低等質(zhì)量缺陷。嚴格依照行業(yè)相關(guān)技術(shù)規(guī)范執(zhí)行抽檢與全項核驗，穩(wěn)定把控產(chǎn)品綜合品質(zhì)，適配光電芯片、光伏器件、光學元件等領(lǐng)域加工使用，為原料入庫驗收、生產(chǎn)過程質(zhì)控與成品出廠核驗提供精準可靠的檢測依據(jù)。

應用場景

光伏電池制備生產(chǎn)、半導體芯片基底制備、光電傳感器元件制作、紅外光學器件加工、微型電子元件封裝、新能源電池導電基材、液晶顯示底層基材、精密儀器光學鍍膜、集成電路輔助基材、柔性電子線路基材、太陽能組件核心層、微波器件襯底材料、智能穿戴元件用材、激光設備透光基材、工業(yè)傳感元件制備

檢測范圍

單晶硅片薄膜、多晶硅片薄膜、超薄硅片薄膜、摻雜改性硅片薄膜、光伏專用硅片薄膜、半導體級硅片薄膜、單面鍍膜硅片薄膜、雙面覆膜硅片薄膜、高透型硅片薄膜、低阻導電硅片薄膜、耐高溫硅片薄膜、防靜電硅片薄膜、大尺寸硅片薄膜、微型切片硅片薄膜、復合層硅片薄膜

檢測項目

外觀表面潔凈程度、整體厚度及偏差、平整度翹曲度、表面粗糙度、本體電阻率、導電類型判定、少子壽命、氧碳雜質(zhì)含量、薄膜附著力、透光遮光性能、耐溫穩(wěn)定性、耐酸堿腐蝕性、晶格缺陷數(shù)量、微裂紋排查、老化光電衰減率

檢測標準

1、GB/T 12964-2018《半導體單晶硅片通用規(guī)范》

2、GB/T 25076-2010《太陽能電池用硅單晶片技術(shù)要求》

3、GB/T 1552-2018《硅單晶電阻率測定方法》

4、GB/T 30452-2013《單晶硅氧碳含量檢測方法》

5、GB/T 14847-2018《半導體硅片平整度測試規(guī)范》

6、SJ/T 11495-2015《硅片表面質(zhì)量檢驗標準》

7、GB/T 13387-2018《硅單晶位錯密度檢測方法》

檢測周期

到樣后5-7個工作日（可加急），根據(jù)樣品及其檢測項目/方法會有所變動，具體需咨詢工程師。

檢測流程

1、溝通需求（在線或電話咨詢）；

2、寄樣（郵寄樣品支持上門取樣)；

3、報價（根據(jù)檢測的復雜程度進行報價）；

4、簽約（簽訂合同和保密協(xié)議）；

5、完成檢測（檢測周期會根據(jù)樣品及其檢測項目/方法會有所變動，出具檢測報告，售后服務）。

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