產(chǎn)品參數(shù)：

 外觀尺寸寬*高*深（mm):1213.5*684.3*122
 屏幕說明: 三星LED背光液晶屏 
 分辨率: 3840*2160 
 亮度: 500cd/㎡ 
 拼接縫隙: 1.8mm
 屏幕比例: 16:9 
 對比度: 3000:1 
 控制信號: DP環(huán)通 
 拼接組合: 任意行M*任意列N(M/N=15) 
 菜單語言: 中英文（多種語言可選） 
 色彩: 16.7M 
 可視角度: 178度/178度(H\V) 
 整機功耗: 270W 
 響應(yīng)時間: 6ms 
 使用溫/濕度： 0℃/60℃/10%-95% 
 安裝方式： 落地式、壁掛式、前維護式、吊裝式 
 遙控： 帶線控制鍵盤
 VGA輸入接口： 1路D-sub15,支持1920*1200/60HZ及向下兼容 
 HDMI輸入接口： 1路HDMI,支持3840*2160/60HZ及向下兼容 
 DVI輸入接口： 1路DVI,支持3840*2160/60HZ及向下兼容 
使用壽命:80000小時 
 畫質(zhì)特點： 液晶拼接屏采用專業(yè)集成芯片，3D高畫質(zhì)圖像數(shù)字處理技術(shù)，工業(yè)級液晶面板設(shè)計，可任意弧型拼接組合模式，具有獨特的寬視 角及Zui新色彩校正技術(shù)， LED背光源高鮮艷色彩度，節(jié)能環(huán)保超低運行設(shè)計，兼容多信號模式，防輻射，防電子場干 擾，中英文操作模式，專業(yè)防塵防熱設(shè)計。

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1. 尺寸縮小芯片尺寸縮小
表面上看，就是版圖設(shè)計的問題，似乎只要根據(jù)需要設(shè)計更小的版圖就能解決。但是，芯片尺寸的縮小是否能無限的進行下去呢？答案是否定的。有如下幾個原因制約著芯片尺寸縮小的程度：
（1）封裝加工的限制。封裝加工過程中，兩個因素限制了芯片尺寸的縮小。一是吸嘴的限制。固晶需要吸取芯片，芯片短邊尺寸必須大于吸嘴內(nèi)徑。目前有性價比的吸嘴內(nèi)徑為80um左右。二是焊線的限制。首先是焊線盤即芯片電極必須足夠大，否則焊線可靠性不能保證，業(yè)內(nèi)報道Zui小電極直徑45um；其次是電極之間的間距必須足夠大，否則兩次焊線間必然會相互干擾。
（2）芯片加工的限制。芯片加工過程中，也有兩方面的限制。其一是版圖布局的限制。除了上述封裝端的限制，電極大小，電極間距有要求外，電極與MESA距離、劃道寬度、不同層的邊界線間距等都有其限制，芯片的電流特性、SD工藝能力、光刻的加工能力決定了具體限制的范圍。通常，P電極到芯片邊緣的Zui小距離會限定在14μm以上。
其二是劃裂加工能力的限制。SD劃片+機械裂片工藝都有極限，芯片尺寸過小可能無法裂片。當晶圓片直徑從2英寸增加到4英寸、或未來增加到6英寸時，劃片裂片的難度是隨之增加的，也就是說，可加工的芯片尺寸將隨之增大。以4寸片為例，如果芯片短邊長度小于90μm，長寬比大于1.5:1的，良率的損失將顯著增加。
基于上述原因，筆者大膽預測，芯片尺寸縮小到17mil2后，芯片設(shè)計和工藝加工能力接近極限，基本再無縮小空間，除非芯片技術(shù)方案有大的突破。
2. 亮度提升
亮度提升是芯片端永恒的主題。芯片廠通過外延程式優(yōu)化提升內(nèi)量子效應(yīng)，通過芯片結(jié)構(gòu)調(diào)整提升外量子效應(yīng)。
不過，一方面芯片尺寸縮小必然導致發(fā)光區(qū)面積縮小，芯片亮度下降。另一方面，小間距顯示屏的點間距縮小，對單芯片亮度需求有下降。兩者之間是存在互補的關(guān)系，但要留有底線。目前芯片端為了降低成本，主要是在結(jié)構(gòu)上做減法，這通常要付出亮度降低的代價，因此，如何權(quán)衡取舍是業(yè)者要注意的問題。
3. 小電流下的一致性
所謂的小電流，是相對常規(guī)戶內(nèi)、戶外芯片試用的電流來說的。如下圖所示的芯片I-V曲線，常規(guī)戶內(nèi)、戶外芯片工作于線性工作區(qū)，電流較大。而小間距LED芯片需要工作于靠近0點的非線性工作區(qū)，電流偏小。

在非線性工作區(qū)，LED芯片受半導體開關(guān)閾值影響，芯片間的差異更明顯。對大批量芯片進行亮度和波長的離散性的分析，容易看到非線性工作區(qū)的離散性遠大于線性工作區(qū)。這是目前芯片端的固有挑戰(zhàn)。
應(yīng)對這個問題的辦法首先是外延方向的優(yōu)化，以降低線性工作區(qū)下限為主；其次是芯片分光上的優(yōu)化，將不同特性芯片區(qū)分開來。
4. 寄生電容一致性
目前芯片端沒有條件直接測量芯片的電容特性。電容特性與常規(guī)測量項目之間的關(guān)系尚不明朗，有待業(yè)者去總結(jié)。芯片端優(yōu)化的方向一是外延上調(diào)整，一是電性分檔上的細化，但成本很高，不推薦。
5. 可靠性
芯片端可靠性可以用芯片封裝和老化過程中的各項參數(shù)來描述。但總的說來，芯片上屏以后的可靠性的影響因素，重點在ESD和IR兩項。
ESD是指抗靜電能力。據(jù)IC行業(yè)報道，50%以上芯片的失效與ESD有關(guān)。要提高芯片可靠性，必須提升ESD能力。但是，在相同外延片，相同芯片結(jié)構(gòu)的條件下，芯片尺寸變小必然帶來ESD能力的削弱。這是與電流密度和芯片電容特性直接相關(guān)的，無法抗拒。
IR是指反向漏電，通常是在固定反向電壓下測量芯片的反向電流值。IR反映的是芯片內(nèi)部缺陷的數(shù)量。IR值越大，則說明芯片內(nèi)部缺陷越多。
要提升ESD能力和IR表現(xiàn)，必須在外延結(jié)構(gòu)和芯片結(jié)構(gòu)方面做出更多優(yōu)化。在芯片分檔時，通過嚴格的分檔標準，可以有效的把ESD能力和IR表現(xiàn)較弱的芯片剔除掉，從而提升芯片上屏后的可靠性。

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