※ 1> 產(chǎn)品系列

泛銳研究院生產(chǎn)的碳陶復(fù)合材料相關(guān)性能參數(shù)

※ 2> C/SiC陶瓷基復(fù)合材料簡介
碳化硅陶瓷因具有高強度、高硬度、抗腐蝕、耐高溫和低密度而被廣泛用于高溫和某些苛刻的環(huán)境中，尤其在航空航天飛行器需要承受極高溫度的特殊部位具有很大的潛力。但是，陶瓷不具備像金屬那樣的塑性變形能力，在斷裂過程中除了產(chǎn)生新的斷裂表面吸收表面能以外，幾乎沒有其它吸收能量的機(jī)制，這就嚴(yán)重限制了其作為結(jié)構(gòu)材料的應(yīng)用。碳纖維具有比強度高、比模量大、高溫力學(xué)性能和熱性能良好等優(yōu)點，在惰性氣氛中2000℃時仍能保持強度基本不下降。用碳纖維增強碳化硅復(fù)合材料，材料在斷裂的過程中通過纖維拔出、纖維橋聯(lián)、裂紋偏轉(zhuǎn)等增韌機(jī)制來消耗能量，使材料表現(xiàn)為非脆性斷裂。C/SiC復(fù)合材料綜合了碳纖維優(yōu)異的高溫性能和碳化硅基體高抗氧化性能，受到了的高度關(guān)注，并廣泛應(yīng)用在航空、航天、光學(xué)系統(tǒng)、交通工具等領(lǐng)域。
※ 3> C/SiC陶瓷基復(fù)合材料的優(yōu)異性能
C/SiC陶瓷基復(fù)合材料具有耐高溫、低密度、高強度、高導(dǎo)熱率、高耐磨性、高阻尼系數(shù)、熱輻射系數(shù)高、性能可設(shè)計性強等優(yōu)點。
（1）耐高溫
C/SiC陶瓷基復(fù)合材料與傳統(tǒng)材料相比具有更耐高溫的特點，其可實現(xiàn)在1650℃以下長壽命使用，在1650℃至2200℃有限壽命使用，在2200℃至3000℃瞬時壽命使用，圖3為其與其他材料使用溫度的對比情況。

（2）低密度
C/SiC陶瓷基復(fù)合材料的密度基本在2g/cm3，與高溫合金8g/cm3的密度相比具有較大的優(yōu)勢，在航空航天領(lǐng)域應(yīng)用時可以結(jié)構(gòu)減重1/2至2/3左右，如圖4。

（3）抗燒蝕性能好
C/SiC陶瓷基復(fù)合材料具有優(yōu)異的抗燒蝕性能，在6500 KW ·m-2的熱流密度條件下其線燒蝕率僅為0.01mm·s-1。
（4）熱膨脹變化系數(shù)小
不同編織方式制備的C/SiC陶瓷基復(fù)合材料的熱膨脹系數(shù)如表1所示，可見其在受熱情況下熱膨脹變化很小。

（5）性能可設(shè)計性強
通過采用不同的纖維預(yù)制體編織方式，可以實現(xiàn)材料性能的預(yù)先設(shè)計，在滿足性能要求的前提下也達(dá)到可以節(jié)約成本的目的，如圖5所示。

※ 4> C/SiC陶瓷基復(fù)合材料的制備工藝
C/SiC和C/C-SiC陶瓷基復(fù)合材料的制備工藝的關(guān)鍵是：纖維損傷?。焕w維/基體界面結(jié)合強度適中；克服基體致密化過程中的“瓶頸效應(yīng)”；制備成本低。經(jīng)過兩年多的科學(xué)實驗研究，河南泛銳復(fù)合材料研究院已掌握制備C/SiC和C/C-SiC陶瓷基復(fù)合材料的基備工藝：先驅(qū)體浸漬裂解法（Precursorinfiltrationpyrolysis, PIP）、化學(xué)氣相滲透法（Chemical vaporinfiltration,CVI）、液相滲硅法（Liguid silicon infiltration，LSI）及綜合工藝。