Q6. 電容器制造商如何針對(duì)老化進(jìn)行補(bǔ)償？       

A6. 電容器的測(cè)試基準(zhǔn)已在IEC-384-9被定義。它被定義為:在 Zui終熱處理后1000小時(shí)的經(jīng)時(shí)性變化后的電容值4。我們?cè)跍y(cè)試工序中考慮到老化速度的影響，使1000小時(shí)后的電容值在允許的公差范圍內(nèi)來(lái)進(jìn)行選別。

圖3 :Class II材料的排序限制示例，K允許偏差

注：隨著時(shí)間的推移,由于老化使電容值降低。Zui后加熱后不到1000小時(shí)的有可能超過(guò)容量公差的上限，超過(guò)1000小時(shí)的有可能低于容量公差的下限。

Q7. 電容器用戶應(yīng)如何針對(duì)老化進(jìn)行補(bǔ)償？   聯(lián)系歐陽(yáng)免費(fèi)寄樣免費(fèi)索樣

A7. 電容器用戶應(yīng)期望Class II、III和IV電容器處在電容允許偏差范圍內(nèi), 從Zui后加熱開(kāi)始需要經(jīng)過(guò) TOLH中的6周（1000小時(shí)）的放置，在焊接，粘接劑固化，溫度上升的其他工序直后，是電容去老化的過(guò)程，有可能電容值不落在容差范圍內(nèi)。您可能需要考慮到電容器的老化因素，拓寬在電路測(cè)試中電容的容差范圍設(shè)置。

如何理解介質(zhì)擊穿強(qiáng)度 介質(zhì)強(qiáng)度

介質(zhì)強(qiáng)度表征的是介質(zhì)材料承受高強(qiáng)度電場(chǎng)作用而不被 電擊穿的能力，通常用伏特/密爾（V/mil)或伏特/厘米（V/cm)表示。

當(dāng)外電場(chǎng)強(qiáng)度達(dá)到某一臨界值時(shí)，材料晶體點(diǎn)陣中的電 子克服電荷恢復(fù)力的束縛并出現(xiàn)場(chǎng)致電子發(fā)射，產(chǎn)生出足夠多的自由電子相互碰撞導(dǎo)致雪崩效應(yīng)，進(jìn)而導(dǎo)致突 發(fā)擊穿電流擊穿介質(zhì)，使其失效。除此之外，介質(zhì)失效還有另一種模式，高壓負(fù)荷下產(chǎn)生的熱量會(huì)使介質(zhì)材料 的電阻率降低到某一程度，如果在這個(gè)程度上延續(xù)足夠長(zhǎng)的時(shí)間，將會(huì)在介質(zhì)Zui薄弱的部位上產(chǎn)生漏電流。這 種模式與溫度密切相關(guān)，介質(zhì)強(qiáng)度隨溫度提高而下降。任何絕緣體的本征介質(zhì)強(qiáng)度都會(huì)因?yàn)椴牧衔⒔Y(jié)構(gòu)中物理 缺陷的存在而出現(xiàn)下降，而且和絕緣電阻一樣，介質(zhì)強(qiáng)度也與幾何尺寸密切相關(guān)。由于材料體積增大會(huì)導(dǎo)致缺 陷隨機(jī)出現(xiàn)的概率增大，因此介質(zhì)強(qiáng)度反比于介質(zhì)層厚度，如下圖所示。

類似地，介質(zhì)強(qiáng)度反比于片式電容器內(nèi)部電極層數(shù)和其 物理尺寸。

基于以上考慮，進(jìn)行片式電容器留邊量設(shè)計(jì)時(shí)需要確保在使用過(guò)程中和在進(jìn)行耐壓測(cè)試（一般為其工作電壓的 2.5倍）時(shí)，不發(fā)生擊穿失效。

如何理解溫度特性TCC

A.溫度系數(shù)（容量一溫度特性）：

通過(guò)調(diào)整配方將居里點(diǎn)尖峰移至室溫附近的高K介質(zhì)在25°C時(shí)展現(xiàn)出極高的介電常數(shù)，但同時(shí)，不管是升溫還是降溫，K值都會(huì)出現(xiàn)非常大的變化。而低K介質(zhì)，其配方系統(tǒng)使得居里尖峰被壓低和寬化，因此能如人們所希望的那樣表現(xiàn)出更佳的穩(wěn)定性。