多晶硅的用途是什么？

多晶硅是單質(zhì)硅的一種形態(tài)。熔融的單質(zhì)硅在過冷條件下凝固時，硅原子以金剛石晶格形態(tài)排列成許多晶核，如這些晶核長成晶面取向不同的晶粒，則這些晶粒結(jié)合起來，就結(jié)晶成多晶硅。多晶硅可作拉制單晶硅的原料，多晶硅與單晶硅的差異主要表現(xiàn)在物理性質(zhì)方面。例如，在力學(xué)性質(zhì)、光學(xué)性質(zhì)和熱學(xué)性質(zhì)的各向異性方面，遠不如單晶硅明顯;在電學(xué)性質(zhì)方面，多晶硅晶體的導(dǎo)電性也遠不如單晶硅顯著，甚至于幾乎沒有導(dǎo)電性。在化學(xué)活性方面，兩者的差異極小。多晶硅和單晶硅可從外觀上加以區(qū)別，但真正的鑒別須通過分析測定晶體的晶面方向、導(dǎo)電類型和電阻率等.

業(yè)務(wù)范圍：

1.硅片，電池片，缺角片，碎片，藍膜片，擴散片，拋光片。
 2.原生多晶，鍋底料，復(fù)拉料，P/N型單晶邊皮，多晶邊皮。
 3.降級組件，二手組件， 客退組件，庫存組件，。
 4.重摻料，硅粉等，各種硅料。

半導(dǎo)體器件生產(chǎn)中硅片須經(jīng)嚴格清洗。微量污染也會導(dǎo)致器件失效。清洗的目的在于清除表面污染雜質(zhì)，包括有機物和無機物。這些雜質(zhì)有的以原子狀態(tài)或離子狀態(tài)，有的以薄膜形式或顆粒形式存在于硅片表面。有機污染包括光刻膠、有機溶劑殘留物、合成蠟和人接觸器件、工具、器皿帶來的油脂或纖維。無機污染包括重金屬金、銅、鐵、鉻等，嚴重影響少數(shù)載流子壽命和表面電導(dǎo);堿金屬如鈉等，引起嚴重漏電;顆粒污染包括硅渣、塵埃、細菌、微生物、有機膠體纖維等，會導(dǎo)致各種缺陷。清除污染的方法有物理清洗和化學(xué)清洗兩種。