半導(dǎo)體是導(dǎo)電性介于導(dǎo)體與絕緣體之間的材料，其導(dǎo)電性可通過摻雜或改變溫度、光照等條件調(diào)控，典型代表為硅、鍺等元素及化合物。檢測半導(dǎo)體需綜合運(yùn)用多種技術(shù)：通過薄層電阻測量、擊穿電壓測試等電學(xué)方法評估導(dǎo)電性能；利用光學(xué)顯微鏡、電子顯微鏡觀察表面形貌與缺陷；采用俄歇電子能譜、二次離子質(zhì)譜分析成分分布與雜質(zhì)含量；借助X射線檢測內(nèi)部結(jié)構(gòu)缺陷；結(jié)合能帶理論計算禁帶寬度等關(guān)鍵參數(shù)。

復(fù)達(dá)簡介：

復(fù)達(dá)檢測集團(tuán)專注分析、檢測、測試、研發(fā)、鑒定五大服務(wù)領(lǐng)域，具備CMA、CNAS等資質(zhì)證書。擁有超過700名專業(yè)人員，500余臺（套）專業(yè)儀器設(shè)備。服務(wù)面向全國，在上海、北京、天津、石家莊、成都、西安、太原、沈陽、濟(jì)南、南京、蘇州、杭州、合肥、鄭州、武漢、長沙、廣州、深圳等地區(qū)均設(shè)有分部。累計為公檢法單位、高校及科研機(jī)構(gòu)、企業(yè)等超過10萬家客戶提供咨詢、分析、檢測、測試、鑒定研發(fā)等技術(shù)服務(wù)。

半導(dǎo)體檢測范圍有：

硅單晶片、鍺單晶片、砷化鎵晶圓、氮化鎵外延片、碳化硅襯底、磷化銦襯底、藍(lán)寶石襯底、SOI晶圓、外延片、拋光片、測試片、再生片、化合物半導(dǎo)體、功率半導(dǎo)體器件、射頻器件、光電器件等。

半導(dǎo)體檢測項(xiàng)目有：

電阻率、載流子濃度、遷移率、少數(shù)載流子壽命、晶格缺陷密度、表面粗糙度、薄膜厚度、氧化層厚度、表面氧化物、柵氧完整性、接觸電阻、漏電流、擊穿電壓、閾值電壓、飽和電流、應(yīng)力、晶向、翹曲度、鍵合強(qiáng)度、可焊性等。

半導(dǎo)體檢測周期：

到樣后5-7個工作日，可以進(jìn)行加急，根據(jù)樣品及其檢測項(xiàng)目/方法會有所變動，具體需咨詢工程師。

半導(dǎo)體部分檢測標(biāo)準(zhǔn)：

1、GB/T 1550-2018 半導(dǎo)體單晶導(dǎo)電類型測試方法

2、GB/T 1551-2009 硅單晶電阻率測定方法

3、GB/T 14140-2009 硅片直徑測量方法

4、GB/T 26067-2010 硅片切口尺寸測試方法

5、GB/T 32279-2015 硅片表面顆粒測試方法

6、SJ 20961-2006 半導(dǎo)體器件用鍵合絲

檢測流程：

1、和客服溝通需求，安排工程師進(jìn)行對接

2、根據(jù)情況進(jìn)行寄樣，支持上門取樣

3、對樣品進(jìn)行初步分析，很具客戶需求，進(jìn)行樣品檢測

4、進(jìn)行實(shí)驗(yàn)檢測，得出實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)

5、數(shù)據(jù)綜合與報告編制，匯總分析結(jié)果并編制檢測報告