掃描電鏡和能譜分析，簡稱SEM-EDS分析，可對金屬材料、高分子材料、納米材料、電子制造、半導體器件微區(qū)表面形貌、結構觀察、元素成分分析的技術手段。

SEM掃描電鏡分析：利用陰極所發(fā)射的電子束經(jīng)陽極加速，由磁透鏡加速后形成一束直徑為幾十埃到幾千埃的電子束流，這束高能電子束轟擊到樣品表面會激發(fā)多種信息，經(jīng)過分別收集，放大就能從顯示屏上得到各種相應的圖像。

SEM主要利用背散射電子（BEI）和二次電子（SEI）來成像，可以對陶瓷、金屬、粉末、塑料等樣品進行形貌觀察及成分分析。

EDS能譜分析：X-ray energy dispersive，入射電子束可停留在被觀察區(qū)域上的任何位置.X射線在直徑1微米的體積內(nèi)產(chǎn)生,可對試樣表面元素的分布進行質(zhì)和量的分析，高能電子束轟擊樣品表面，激發(fā)各種信號。

EDS通過特征X-RAY獲取樣品表面的成分信息。

優(yōu)爾鴻信，擁有獨立電鏡實驗室，面向全國，提供掃描電鏡SEM與EDS分析測試服務，寄樣即測。