外延層是通過外延生長技術(shù)在襯底上形成的單晶層,晶體結(jié)構(gòu)與襯底一致;在硅片上使用外延層可控制摻雜濃度、優(yōu)化器件性能并減少襯底缺陷影響。
檢測范圍
硅外延層、砷化鎵外延層、氮化鎵外延層、碳化硅外延層、磷化銦外延層、鍺外延層、氧化鋅外延層、硒化鋅外延層、碲化鎘外延層、銻化鎵外延層等。
檢測項目
厚度測量、厚度均勻性檢測、摻雜濃度分析、載流子參數(shù)測量、電阻特性檢測、晶格布局分析、材料結(jié)構(gòu)表征、表面形貌檢測、表面粗糙度測量、晶體質(zhì)量評估、缺陷檢測、光學(xué)性能測試、機械性能檢測、熱性能分析、化學(xué)穩(wěn)定性評估等。
檢測周期
到樣后7-10個工作日（可加急），根據(jù)樣品及其檢測項目/方法會有所變動，具體需咨詢工程師。
檢測標(biāo)準(zhǔn)（部分）
1、GB/T 14142-1993 硅外延層晶體完整性檢查方法
2、T/CASAS 004.2-2018 4H碳化硅襯底及外延層缺陷圖譜
3、T/CASAS 004.1-2018 4H碳化硅襯底及外延層缺陷術(shù)語
4、YS/T 23-2016 硅外延層厚度測定 堆垛層錯尺寸法
5、GB/T 14142-2017 硅外延層晶體完整性檢驗方法 腐蝕法
6、GB/T 42905-2023 碳化硅外延層厚度的測試 紅外反射法
以上是外延層檢測的相關(guān)介紹，如有其他檢測需求可以咨詢實驗室工程師幫您解答。
北京清析技術(shù)研究院提供分析、檢測、測試、鑒定、研發(fā)等技術(shù)服務(wù)，服務(wù)領(lǐng)域涵蓋材料、化工、環(huán)境、食品、農(nóng)產(chǎn)品等。資質(zhì)齊全，具備CMA、CNAS、CATL等資質(zhì)證書。實驗室設(shè)施完備，建有色譜分析室、光譜分析室、無機預(yù)處理室、熱處理室、有機預(yù)處理室；配置有HS-GCMS、PY-GCMS、GC-FID/ECD/TCD、ICP-OES、AAS、UV、金相顯微鏡、MICRO-IR、LC、XRF等實驗儀器。
外延層檢測 , 外延層缺陷檢測 , 第三方外延層檢測中心
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工程和技術(shù)研究與試驗發(fā)展；醫(yī)學(xué)研究與試驗發(fā)展；自然科學(xué)研究與試驗發(fā)展；農(nóng)業(yè)科學(xué)研究與試驗發(fā)展；技術(shù)推廣、技術(shù)開發(fā)、技術(shù)咨詢、技術(shù)服務(wù)、技術(shù)轉(zhuǎn)讓；技術(shù)檢測。（市場主體依法自主選擇經(jīng)營項目，開展經(jīng)營活動；依法須經(jīng)批準(zhǔn)的項目，經(jīng)相關(guān)部門批準(zhǔn)后依批準(zhǔn)的內(nèi)容開展經(jīng)營活動；不得從事國家和本市產(chǎn)業(yè)政策禁止和限制類項目的經(jīng)營活動。）
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