光刻膠 AZ膠 正膠 負(fù)膠 AZ5214E AZ5200E AZ4562 AZ1500-最佳賊拍檔メイリン モデルコレクション メ|美女扒開(kāi)大腿讓我爽視頻免費(fèi)軟件
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AZ5214E特征：
1) 適用于高分辨率工藝(lift-off工藝)；
2) 適用于正/負(fù)圖形；
3) 很寬的膜厚范圍。
AZ 5200E系列光刻膠參考工藝條件：
前烘 ：100℃ 60秒 (DHP)；
曝光 ：I線(xiàn)步進(jìn)式曝光機(jī)/接觸式曝光機(jī)；
反轉(zhuǎn)烘烤 ：110~125℃ 90秒 (DHP):去離子水30秒；
全面曝光 ：310~405nm
(在曝光光源下全面照射)；
顯影 ：AZ300MIF (2.38%) 23℃ 30~60秒Puddle；
：AZ Developer(1:1)23℃ 60秒Dipping；
：AZ400K(1:4)23℃ 60秒Dipping；
清洗 ：去離子水30秒；
后烘 ：120℃ 120秒 (DHP)；
剝離 ：AZ剝離液及/或氧等離子體灰化；
產(chǎn)品型號(hào)：
型號(hào)
AZ5206E
AZ5214E
AZ5218E
AZ5200NJ
粘性
7mPa
25mPa
40mPa
85mPa
AZP4620超厚膜，高對(duì)比度，高感光度G線(xiàn)標(biāo)準(zhǔn)正型光刻膠，適用于半導(dǎo)體制造及GMR磁頭制造。
特征：
1) 高對(duì)比度，高感光度
2) 高附著性，對(duì)電鍍工藝高耐受性
3) 多種粘度可供選擇
參考工藝條件：
前烘 ：100℃ 90秒以上 (DHP)
曝光 ：G線(xiàn)步進(jìn)式曝光機(jī)/接觸式曝光系統(tǒng)
顯影 ：AZ300MIF顯影液23℃ 60~300秒
清洗 ：去離子水
后烘 ：120℃ 60秒以上
剝離 ：AZ剝離液及/或氧等離子體灰化
產(chǎn)品型號(hào)：
型號(hào)
AZ P4210
AZ P4330
AZ P4400
AZ P4620
AZ P4903
粘性
49mPa
115mPa
160mPa
400mPa
1550mPa
AZ?4500系列 AZ4562
具有佳粘附力的厚光刻膠
特點(diǎn)：
AZ ? 4500系列（AZ ? 4533和AZ ? 4562）是正性厚光刻膠，在普通濕法蝕刻和電鍍工藝中具有優(yōu)良的粘附性能：
l 優(yōu)化對(duì)所有常見(jiàn)基材的附著力
l 寬廣的工藝參數(shù)窗口，可實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定且可重復(fù)的光刻工藝
l 與所有常見(jiàn)的顯影液兼容（基于KOH或TMAH）
l 與所有常見(jiàn)的去膠劑兼容（例如AZ100去膠劑、有機(jī)溶劑或堿性溶劑）
l 對(duì)g，h和i線(xiàn)敏感（約320-440 nm）
l 光刻膠厚度范圍約 3-30微米
AZ ? 4500系列（AZ ? 4533和AZ ? 4562）的溶劑濃度不同，因此可達(dá)到的光刻膠膜厚有較大的范圍：
光刻膠型號(hào)
光刻膠膜厚范圍
包裝規(guī)格
AZ ? 4533
轉(zhuǎn)速為4000 rpm時(shí)，膜厚約為3.3 μm；通過(guò)改變轉(zhuǎn)速，膜后可達(dá)2.5-5 μm。
多規(guī)格包裝，如1L、2.5L等
AZ ? 4562
轉(zhuǎn)速為4000 rpm時(shí)，膜厚約為3.3 μm；通過(guò)改變轉(zhuǎn)速，膜后可達(dá)4.5-10μm；調(diào)整旋轉(zhuǎn)輪廓（中等旋涂速度下短時(shí)間旋涂），可達(dá)30 μm膜厚。
多規(guī)格包裝，如1L、2.5L等
若光刻膠膜厚度 30 μm？
通常，AZ?4562可以用來(lái)涂覆厚度達(dá)30微米及以上。然而，在該厚度范圍內(nèi)，軟烘烤、曝光、顯影等變得非常耗時(shí)。此外，如果涂得太厚，AZ?4562也可能在曝光期間形成N2氣泡。因此，對(duì)于厚度大于30 μm的光刻膠膜厚度，強(qiáng)烈建議使用化學(xué)放大的AZ?40 XT光刻膠。
顯影液——適用于AZ ? 4500光刻膠
如果可以使用含金屬離子的顯影液，可使用1：4稀釋的KOH基AZ?400K作為顯影液（對(duì)于更高的光刻膠膜厚度，可用1：3.5 -1：1的稀釋濃度）。
如果必須使用不含金屬離子的顯影液，我們建議使用基于TMAH基的AZ?326 MIF，AZ?726 MIF或AZ?826MIF顯影劑（未稀釋?zhuān)?/p>
去膠劑——適用于AZ ? 4500光刻膠
對(duì)于非交聯(lián)的光刻膠薄膜，可以使用AZ?100作為去膠劑，DMSO或其他常見(jiàn)的有機(jī)溶劑作為剝離劑。如果光刻膠膜已交聯(lián)（例如，在干法蝕刻等離子工藝或離子注入時(shí)，>140°C的高溫步驟時(shí)），我們建議使用不含NMP的TechniStrip P1316作為去膠劑。
EM膠
電子束光刻膠
型號(hào)
光源
類(lèi)型
分辨率
厚度（um)
適用范圍
SU-8 GM1010
電子束
負(fù)性
100nm
0.1-0.2
可用于做高寬比較大的納米結(jié)構(gòu)。
HS/004/006
電子束
負(fù)性
6nm
30nm~180nm
分辨率好的光刻膠，抗刻蝕。
HS/16
電子束
負(fù)性
100nm
350nm~810nm
分辨率好的光刻膠，抗刻蝕。
PMMA(國(guó)產(chǎn))
電子束
正性
\
\
高分辨率，適用于各種電子束光刻工藝，常用的電子束光刻正膠。
PMMA（進(jìn)口）
電子束
正性
\
\
MicroChem，各種分子量，適用于各種電子束光刻工藝，常用的電子束光刻正膠。
PMGI&LOR Lift-off光刻膠
半導(dǎo)體光刻膠，電子級(jí)蝕刻液，顯影液去膠液，半導(dǎo)體化學(xué)試劑，UV燈管
五金產(chǎn)品批發(fā)；電氣設(shè)備批發(fā)；計(jì)算機(jī)、軟件及輔助設(shè)備批發(fā)；通訊及廣播電視設(shè)備批發(fā)；非金屬礦及制品批發(fā)（不含危險(xiǎn)化學(xué)品和監(jiān)控化學(xué)品）；金屬及金屬礦批發(fā)（不含危險(xiǎn)化學(xué)品和監(jiān)控化學(xué)品）；建材批發(fā)；化肥批發(fā)；其他化工產(chǎn)品批發(fā)（不含危險(xiǎn)化學(xué)品和監(jiān)控化學(xué)品）；貿(mào)易代理；其他貿(mào)易經(jīng)紀(jì)與代理；經(jīng)營(yíng)各類(lèi)商品和技術(shù)的進(jìn)出口（不另附進(jìn)出口商品目錄），但國(guó)家限定公司經(jīng)營(yíng)或禁止進(jìn)出口的
主營(yíng)業(yè)務(wù)：顯影液、漂洗液、光刻膠、聚酰亞胺、冰箱儲(chǔ)存、化學(xué)試劑、國(guó)產(chǎn)試劑、半導(dǎo)體材料、電子專(zhuān)用材料、銳材表面活性劑美國(guó)PTI粉塵，日本JIS粉塵，德國(guó)DMT粉塵，美國(guó)AATCC測(cè)試用，英國(guó)SDC,JAMESH,日本測(cè)試用品，理美國(guó)PTI公司雜質(zhì)顆粒尺寸分析試驗(yàn)、檢測(cè)設(shè)備及各種試驗(yàn)粉塵。代理德國(guó)DMT公司的符合IEC 60312標(biāo)準(zhǔn)的試驗(yàn)粉塵。 同時(shí)，公司還代理進(jìn)口日本JIS標(biāo)準(zhǔn)試驗(yàn)粉塵。 滿(mǎn)足國(guó)內(nèi)汽車(chē)零部件、纖，電子等行業(yè)企業(yè)的實(shí)驗(yàn)室以...