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MOS管型防反接保護(hù)電路利用了MOS管的開(kāi)關(guān)特性,控制電路的導(dǎo)通和斷開(kāi)來(lái)設(shè)計(jì)防反接保護(hù)電路,由于功率MOS管的內(nèi)阻很小,現(xiàn)在MOSFETRds(on)已經(jīng)能夠做到毫歐級(jí),解決了現(xiàn)有采用二極管電源防反接方案存在的壓降和功耗過(guò)大的問(wèn)題。極性反接保護(hù)將保護(hù)用場(chǎng)效應(yīng)管與被保護(hù)電路串聯(lián)連接。保護(hù)用場(chǎng)效應(yīng)管為PMOS場(chǎng)效應(yīng)管或NMOS場(chǎng)效應(yīng)管。若為PMOS,其柵極和源極分別連接被保護(hù)電路的接地端和電源端,其漏極連接被保護(hù)電路中PMOS元件的襯底。






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