CAS	1315-06-6
EINECS	215-257-6
化學式	SeSn
分子量	197.67
密度	d0 6.18
熔點	861°C
水溶性	Insoluble in water. Soluble in aqua regia, alkali sulfides, andalkali selenides.
存儲條件	Sealed in dry,Room Temperature
外觀	3至12毫米件
顏色	Metallic
Merck	14,8789
暴露限值	ACGIH: TWA 2 mg/m3; TWA 0.2 mg/m3NIOSH: IDLH 100 mg/m3; IDLH 1mg/m3; TWA 2 mg/m3; TWA 0.2 mg/m3
物化性質	硒化錫（tinselenide），化學式SnSe，為灰色正交晶系晶體，具半導體性。不溶于水，但溶于硝酸和王水中，可溶于堿和濃酸。該物質對水中有機物有劇毒和危害。
MDL號	MFCD00054049
危險品標志	T - 有毒物品 N - 危害環(huán)境的物品
風險術語	R23/25 - 吸入及吞食有毒。 R33 - 有累積效應的危險品。 R50/53 - 對水生生物有極高毒性，可能對水體環(huán)境產生長期不良影響。
安全術語	S20/21 - S28 - 不慎與皮膚接觸后，立即用大量肥皂水沖洗。 S45 - 若發(fā)生事故或感不適，立即就醫(yī)(可能的話，出示其標簽)。 S60 - 該物質及其容器須作為危險性廢料處置。 S61 - 避免釋放至環(huán)境中。參考特別說明/安全數據說明書。
危險品運輸編號	3288
WGK Germany	3
TSCA	Yes
Hazard Class	6.1(b)
Packing Group	III
參考資料  查看更多	1. [IF=12.732] Feng Li et al."Facile Synthesis of HierarchicalSnSe Nanosheets-Hydrogel Evaporators for Sustainable Sola...

硒化錫 - 性質

硒化錫是一種無機化合物。它的外觀為黑色固體。硒化錫具有獨特的電子結構，在半導體領域具有廣泛的應用。
它具有良好的導電性和光電性能。在光電器件中，硒化錫可以作為光電極材料，具有較高的光轉換效率。
硒化錫還具有一定的光學性質。它對光的吸收和透射特性與波長有關。硒化錫還可以通過控制其晶體結構和摻雜來調節(jié)其光學和電學性質，為材料的設計和優(yōu)化提供了一定的靈活性。

Zui后更新：2024-04-1022:29:15

硒化錫 - 用途與合成方法

硒化錫是一種含有硒和錫元素的化合物，具有廣泛的用途和應用。以下是硒化錫的幾種常見用途和合成方法的介紹：
1. 光電器件：硒化錫是一種優(yōu)良的半導體材料，可用于制備光敏器件，如太陽能電池、光電探測器和紅外探測器等。
2.納米材料：硒化錫具有可調控的光學和電學性質，可用于制備納米材料，如硒化錫納米線、硒化錫納米片等，具有優(yōu)異的電子、光學和熱學性能，可應用于納米電子器件和納米傳感器等領域。
3.六價鉻清除劑：硒化錫在環(huán)境保護領域中可作為六價鉻（Cr(VI)）清除劑，可以將有害的六價鉻轉化為可溶性的三價鉻（Cr(III)），從而達到水體和土壤的凈化目的。
硒化錫的合成方法主要有以下幾種：
1.化學氣相沉積法：通過化學反應在氣相條件下將適當的硒原料和錫原料進行反應，生成硒化錫。該方法可以在高溫下進行，常用的反應氣體有硒化氫、三乙基硒、硅烷等。
2.水熱合成法：將錫鹽和硒鹽在一定條件下與適當的溶劑反應，生成硒化錫顆粒。水熱合成法具有溫和的反應條件和簡單的實驗操作，常用的反應溫度為100-200攝氏度。
3.氣相轉化法：通過氫氣還原硒酸錫或硒酸錫鹽，生成硒化錫。該方法適用于實驗室規(guī)模的合成，反應溫度較高，一般需要500-800攝氏度的溫度。

Zui后更新：2024-04-1022:29:15

硒化錫 - 簡介

硒化錫（SnSe）是一種無機化合物，具有以下性質：
外觀：硒化錫通常呈現出灰色或黑色固體的形態(tài)。
熱電性能：硒化錫是一種熱電材料，具有良好的熱電性能，可以轉換熱能和電能之間的轉化。
半導體性質：硒化錫是一種N型半導體材料，具有較低的熱導率和較高的電阻率。
硒化錫的用途如下：
光伏應用：硒化錫具有優(yōu)異的熱電性能和光吸收特性，它被廣泛應用于光伏領域，用于制造高效率的太陽能電池。
紅外傳感器：硒化錫在紅外領域具有優(yōu)異的傳感性能，用于制造紅外傳感器和熱成像裝置。
熱電模塊：硒化錫也可以用于制造熱電模塊，將廢熱轉化為電能，實現能量回收和利用。
硒化錫的制法如下：
硒化錫可以通過化學氣相沉積（Chemical VaporDeposition，CVD）法或者熱蒸發(fā)法制備。在CVD法中，可以將有機錫化合物和硒化氫氣體混合，并在合適的溫度和壓力條件下進行反應，生成硒化錫。熱蒸發(fā)法則是將金屬錫與硒化物混合在高溫下蒸發(fā)，然后在低溫表面上沉積得到硒化錫薄膜。
硒化錫的安全信息如下：
健康風險：硒化錫對人體可能有刺激性和損傷作用。在接觸硒化錫時，應采取適當的防護措施，避免直接接觸皮膚和吸入蒸氣。
環(huán)境影響：硒化錫可能對環(huán)境產生一定的污染風險。在處理硒化錫廢物或廢水時，應遵守相關的環(huán)保法規(guī)和處理指南。