薄膜貼片電阻由陶瓷基片上厚度為50A至250A的金屬堆積層組成(采用真空或濺射工藝)。薄膜電阻單位面積阻值高于線繞電阻或BulkMetal金屬箔電阻，而且更為廉價。在需求高阻值而精度要求為中等程度時，薄膜電阻更為經(jīng)濟并節(jié)省空間。

　　它們具有溫度敏感堆積層厚度，但薄膜厚度發(fā)生的電阻值嚴重限制了能夠的電阻值范圍。因而，采用各種堆積層厚度可以完成不同的電阻值范圍。薄膜電阻的波動性受溫度上升的影響。薄膜電阻波動性的老化進程因完成不同電阻值所需的薄膜厚度而不同，因而在整個電阻范圍內是可變的。這種化學/機械老化還包括電阻合金的低溫氧化。貼片電容此外，改動薄膜厚度還會嚴重影響TCR。由于較薄的堆積層更容易氧化，因而高阻值薄膜電阻退步率十分高

　　薄膜電阻的薄膜濺射工藝是無源元器件公認的技術，這項技術在過去幾十年中已經(jīng)被反復驗證和改進。該技術的優(yōu)勢在于其準確性、可重復性和穩(wěn)定性，生產(chǎn)的高穩(wěn)定和的薄膜電阻器廣泛應用于惡劣環(huán)境條件下的各種電子設備當中。利用光刻工藝制造熔斷層可為我們提供生產(chǎn)的幾何輪廓和端子間未使用的導電材料的能力。利用光刻工藝，可控制熔絲的長度和寬度，達到與濺射薄膜層厚度相同的準確度和精度。