TCR愈低，表示電阻隨溫度變化愈小，阻值愈穩(wěn)定，厚膜材料的TCR約為200~300 ppm/k之間(銅約為4000ppm/k)。由於厚膜膠必須含有一定成份的玻璃，因此TCR的控制相當不容易，目前的厚膜電阻的特性己相當固定，不易有明顯的改進空間。相對地，薄膜電阻是利用半導體的原理，以物理的氣相沈積技術(PhysicalVapour Deposition，PVD)，包括濺鍍(sputtering deposition)、蒸鍍(evaporationdeposition)等方式，將電阻材料被覆於氧化鋁基板上，因此材料所選擇變得很有彈性，目前常用的NiCr，NiCu，TaN…等材料。由於薄膜製程可獲得之材料沒有混雜其他如玻璃等雜質，因此TCR可控制在50ppm/k以下，甚至趨近0ppm/k。除此之外，由於電阻體可利用黃光微影(lithography)的方式製作不同的線路圖案(pattern)，且線徑的控制非常精確，因此，阻值範圍可以做的很廣，且在某些阻值範圍甚至可做到免除雷射切割修整阻值的步驟。

利用半導體類似等級的設備來生產(chǎn)薄膜電阻，在成品特性擁有許多厚膜可不及的優(yōu)點，但因為成本仍高，因此未能廣泛應用。目前晶片電阻市埸仍由厚膜電阻佔絕大部份。Zui近由於in-line全自動濺鍍設備成本大幅降低，加上微影製程改良，薄膜電阻成本在1~2年內(nèi)將降低至接近厚膜電阻的水準。

　　貼片電阻額定功率及工作電壓

　　貼片電阻的功率是指通過電流時由于焦耳熱電阻產(chǎn)生的功率。可根據(jù)焦耳定律算出：P=I2 R。

　　額定功率 ： 是指在某個溫度下Zui大允許使用的功率，通常指環(huán)境溫度為70°C時的額定功率。

　　額定電壓：可以根據(jù)以下公式求出額定電壓。

　　額定電壓(V)=√

　　額定功率(W)× 標稱阻值(Ω)

　　Zui高工作電壓 ：允許加載在貼片電阻兩端的Zui高電壓

　　貼片電阻標識

　　貼片電阻上面的印字絕大部分標識其阻值大小。各個廠家的印字規(guī)則雖然不完全相同，但絕大部分遵照一定規(guī)則。

　　常見的印字標注方法有“常規(guī)3位數(shù)標注法”、 “常規(guī)4位數(shù)標注法”、“3位數(shù)乘數(shù)代碼標注法、“R表示小數(shù)點位置”、“m表示小數(shù)點位置 ”。

　　01005,0201,0402由于面積太小，通常上面都不印字。

　　0603，0805，1206，1210，上面印有3位數(shù)或者4位數(shù)。