蕪湖恒樞科技提供3-8英寸硅外延片。

 摻雜類型和晶向：P100，P111，N100,N111;

 類型：P/P++， N/N++，N/N+， N/N+/N++，N/P/P，P/N/N+；

 外延厚度：0.1-100um；

 外延電阻率：0.001-100Ω.cm;

可加工定制，詳情請(qǐng)電聯(lián)！

硅外延的定義

硅外延工藝實(shí)際上是一種薄層的單晶生長(zhǎng)技術(shù)，它是在一定的條件下，在硅單晶的襯底片上，沿單晶的結(jié)晶方向生長(zhǎng)一層具有一定導(dǎo)電類型，電阻率、厚度、晶格結(jié)構(gòu)與體單晶一致的新單晶層。

硅外延生長(zhǎng)工藝的優(yōu)點(diǎn)

1、生長(zhǎng)溫度比它本身的熔點(diǎn)要低；

2、可以獲得純度高、缺陷少的單晶薄層；

3、由于摻雜工藝靈活，可以獲得多種結(jié)構(gòu)的單晶或多層外延便于器件參數(shù)結(jié)構(gòu)的調(diào)整。

硅外延工藝的分類

1、 按結(jié)構(gòu)分類

  同質(zhì)外延——即外延層在結(jié)構(gòu)與性質(zhì)上與襯底材料相同，例如N/N+，P/P+；

  異質(zhì)外延——即外延層在結(jié)構(gòu)與性質(zhì)上與襯底材料不同，例：SOI(絕緣襯底上外延)。

2、按外延層的厚度和電阻率分類

 厚度和電阻率均可按客戶要求jingque控制。

3、 按外延生長(zhǎng)方法分類

 直接法——不經(jīng)過(guò)中間化學(xué)反應(yīng)，硅原子直接從源轉(zhuǎn)移到襯底片上形成外延層，例：真空濺射法，分子束外延（物理法）液相外延等等；

 間接法——通過(guò)還原或分解硅化合物得到所需要的硅原子，然后在襯底上淀積形成外延層，我們的硅外延就屬于間接生長(zhǎng)工藝。

硅外延的基本原理

硅化學(xué)氣相沉積外延生長(zhǎng)其原理是在高溫（＞1100℃）的襯底上輸送硅化合物（SiHCl3或SiCl4或SiH2Cl2等）利用氫（H2）在襯底上通過(guò)還原反應(yīng)析出硅方法。

氣相外延生長(zhǎng)過(guò)程包括：

（1）反應(yīng)劑（SiCl4或SiHCl3+H2）氣體混合物質(zhì)量轉(zhuǎn)移到襯底表面；

（2）吸收反應(yīng)劑分子在表面上（反應(yīng)物分子穿過(guò)附面層向襯底表面遷移）；

（3）在表面上進(jìn)行反應(yīng)得到硅原子及其副產(chǎn)物；

（4）釋放出副產(chǎn)物分子；

（5）副產(chǎn)物分子向主氣流質(zhì)量轉(zhuǎn)移；（排外）

（6）硅原子先在生長(zhǎng)層表面形成原子集團(tuán)——晶核，接著加接到晶核上，使晶核增大，形成新的晶面。