半導(dǎo)體芯片檢測(cè)的“toushi眼”

近紅外顯微數(shù)碼成像解決方案
專(zhuān)用紅外顯微鏡+IR物鏡  RX53M-IR

      RX53M-IR利用近紅外光對(duì)半導(dǎo)體材料的穿透性特點(diǎn)，紅外顯微鏡作為芯片制造以及微電子器件的典型無(wú)損檢測(cè)手段越來(lái)越多的受到重視。通過(guò)紅外顯微鏡對(duì)硅片穿透可觀察晶體生長(zhǎng)過(guò)程中的位錯(cuò)，隱裂痕；芯片劃片封裝的不良狀況無(wú)損分析；封裝后的焊接部分檢查；可直接穿透厚度不超過(guò)600μm的硅片，觀察IC芯片內(nèi)部，觀察內(nèi)部線(xiàn)路斷裂，崩邊，崩裂，溢出等；也應(yīng)用于包括產(chǎn)品晶圓生產(chǎn)內(nèi)部缺陷檢查，短斷路檢查（燒蝕標(biāo)記、壓力指標(biāo)等）、鍵合對(duì)準(zhǔn)（薄鍵合電路）、失效分析和來(lái)料測(cè)試。

近紅外一般定義為700-2000nm波長(zhǎng)范圍內(nèi)的光線(xiàn)，對(duì)于紅外攝像頭而言硅基傳感器的上限約為1100nm，銦鎵砷（InGaAs）傳感器大約1800nm左右，都是目前在近紅外顯微觀察中使用的主要傳感器，可覆蓋典型的近紅外頻帶。大量使用可見(jiàn)光難以或無(wú)法實(shí)施的應(yīng)用可通過(guò)近紅外成像完成。當(dāng)使用近紅外成像時(shí)，水蒸氣、硅、部分化合物、部分藍(lán)膜等特定材料均為透明，因此紅外顯微檢測(cè)被應(yīng)用于半導(dǎo)體行業(yè)的各個(gè)方面。

諾旭微光電自主研發(fā)的無(wú)損紅外toushi顯微技術(shù)，廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體（Semiconductor）領(lǐng)域公司、平板顯示（FPD）公司、科研單位、高校及第三方實(shí)驗(yàn)室、企業(yè)。

該紅外顯微鏡技術(shù)方案得益于精密光學(xué)設(shè)計(jì)、納米級(jí)加工的集成式光學(xué)系統(tǒng)，可用于常規(guī)金相顯微鏡（2寸-12寸）、常規(guī)工具顯微鏡、常規(guī)影像測(cè)量?jī)x、超景深顯微鏡、大型龍門(mén)工業(yè)顯微鏡

LU200N-IR系列紅外顯微鏡——VECSEL芯片無(wú)損紅外toushi顯微解決方案

第二代半導(dǎo)體（硅基）

20世紀(jì)90年代以來(lái)，隨著移動(dòng)通信的快速發(fā)展，以光纖通信和互聯(lián)網(wǎng)為基礎(chǔ)的信息高速公路的興起，以砷化鎵、磷化銦為代表的第二代半導(dǎo)體材料開(kāi)始涌現(xiàn)。

垂直腔面發(fā)射激光器(vertical cavity surface emittinglaser)，LU200N-IR系列近紅外顯微鏡多年來(lái)服務(wù)于技術(shù)量產(chǎn)VECSEL芯片企業(yè)的研發(fā)、品檢、生產(chǎn)中，提供了高性?xún)r(jià)比的VECSEL全設(shè)計(jì)波段無(wú)損檢測(cè)解決方案。

LU200N-IR系列紅外顯微鏡——VECSEL芯片無(wú)損紅外toushi顯微解決方案

第二代半導(dǎo)體（硅基）

國(guó)內(nèi)某消費(fèi)電子代工廠(chǎng)，VCSEL無(wú)損穿透案例：

國(guó)內(nèi)前三半導(dǎo)體電光器件、模塊及系統(tǒng)的研發(fā)，銷(xiāo)售和產(chǎn)業(yè)化公司，VCSEL無(wú)損穿透案例：

垂直腔面發(fā)射激光器（Vertical-Cavity Surface-EmittingLaser，簡(jiǎn)稱(chēng)VCSEL，又譯垂直共振腔面射型激光）是一種半導(dǎo)體，其激光垂直于頂面射出，與一般用切開(kāi)的獨(dú)立芯片制程，激光由邊緣射出的邊射型激光有所不同。常規(guī)的金相顯微鏡無(wú)法觀測(cè)VECSEL產(chǎn)品，以下為近紅外顯微鏡LU200N-IR拍攝的圖片

第二代半導(dǎo)體（化合物半導(dǎo)體）圖片

LU200N-IR已交付近多家客戶(hù)用于砷化鎵GaAs、磷化銦InP檢測(cè)分析。以下為L(zhǎng)U200N-IR近紅外顯微鏡拍攝效果圖片。

封裝芯片,晶圓級(jí)CSP/SIP的非破壞檢查,倒裝芯片封裝的不良狀況無(wú)損分析,透過(guò)硅觀察IC芯片內(nèi)部

IR近紅外線(xiàn)顯微鏡,可以對(duì)SiP（System in Package）,三維組裝,CSP（Chip SizePackage）等用可視觀察無(wú)法看到的領(lǐng)域進(jìn)行無(wú)損檢查和分析

LU200N-IR正置紅外顯微鏡,專(zhuān)用紅外硅片檢測(cè)顯微鏡,硅襯底的CSP觀察

Vcsel芯片隱裂（cracks),InGaAs瑕疵紅外無(wú)損檢測(cè),LED LD芯片出光面積測(cè)量,Chipping(chipcrack)失效分析,封裝芯片的內(nèi)部缺陷，焊點(diǎn)檢查,

鍵合片bumping,FlipChip正反面鍵合定位標(biāo)記重合誤差無(wú)損測(cè)量,可以定制開(kāi)發(fā)軟件模塊快速自動(dòng)測(cè)量重合誤差,硅基半導(dǎo)體Wafer,碲化鎘CdTe,碲鎘汞HgCdTe等化合物襯底無(wú)損紅外檢測(cè),太陽(yáng)能電池組件綜合缺陷紅外檢測(cè),LCD RGB像元面積測(cè)量

LU200N-IR紅外顯微鏡可用于透過(guò)硅材料成像,倒裝芯片封裝的不良狀況無(wú)損分析,通過(guò)紅外顯微鏡對(duì)硅片穿透可觀察晶體生長(zhǎng)過(guò)程中的位錯(cuò),隱裂痕,芯片劃片封裝的不良狀況無(wú)損分析,封裝后的焊接部分檢查,可直接穿透厚度不超過(guò)600μm的硅片,觀察IC芯片內(nèi)部,觀察內(nèi)部線(xiàn)路斷裂,崩邊,崩裂,溢出等,也應(yīng)用于包括產(chǎn)品晶圓生產(chǎn)內(nèi)部缺陷檢查,短斷路檢查,鍵合對(duì)準(zhǔn)（薄鍵合電路）。