氮化鋁陶瓷片

一、產品特點：

◆高精度           ◆高密度

◆多樣性           ◆多選擇性

◆高穩(wěn)定性         ◆高可靠

二、應用領域：

薄膜金屬化基板廣泛應用于混合集成電路互連基板、微波器件、光電通信、傳感器、mcm等領域。包括光電器件基板、陶瓷載體、激光器載體、片式電容、片式功率分配器、傳感器、叉指電容和螺旋電感等。

薄膜系列產品

三、產品描述：

薄膜產品的設計經歷了從原先簡單的具有單一功能到現在把多個分離元件集成到一個具有復雜功能的電路板的過程。

我們具有大量可供選擇的標準和定制的陶瓷基片，可以提供各種類型、各種厚度的材料和薄膜產品的加工，為客戶提供各種定制服務，為客戶提供各種定制服務，同時可以給出薄膜電阻的設計方案。

四、技術指標：

常用薄膜基板材料特性與一般應用氮化鋁于1877年首次合成。至1980年代，因氮化鋁是一種陶瓷絕緣體(聚晶體物料為70-210w?m?1?k?1，而單晶體更可高達275 w?m?1?k?1)，使氮化鋁有較高的傳熱能力，至使氮化鋁被大量應用于微電子學。與氧化鈹不同的是氮化鋁無毒。氮化鋁用金屬處理，能取代礬土及氧化鈹用于大量電子儀器。氮化鋁可通過氧化鋁和碳的還原作用或直接氮化金屬鋁來制備。氮化鋁是一種以共價鍵相連的物質，它有六角晶體結構，與硫化鋅、纖維鋅礦同形。此結構的空間組為p63mc。要以熱壓及焊接式才可制造出工業(yè)級的物料。物質在惰性的高溫環(huán)境中非常穩(wěn)定。在空氣中，溫度高于700℃時，物質表面會發(fā)生氧化作用。在室溫下，物質表面仍能探測到5-10納米厚的氧化物薄膜。直至1370℃，氧化物薄膜仍可保護物質。但當溫度高于1370℃時，便會發(fā)生大量氧化作用。直至980℃，氮化鋁在氫氣及二氧化碳中仍相當穩(wěn)定。礦物酸通過侵襲粒狀物質的界限使它慢慢溶解，而強堿則通過侵襲粒狀氮化鋁使它溶解。物質在水中會慢慢水解。氮化鋁可以抵抗大部分融解的鹽的侵襲，包括氯化物及冰晶石〔即六氟鋁酸鈉〕。

應用

有報告指現今大部分研究都在開發(fā)一種以半導體（氮化鎵或合金鋁氮化鎵）為基礎且運行於紫外線的發(fā)光二極管，而光的波長為250納米。在2006年5月有報告指一個無效率的二極管可發(fā)出波長為210納米的光波[1]。以真空紫外線反射率量出單一的氮化鋁晶體上有6.2ev的能隙。理論上，能隙允許一些波長為大約200納米的波通過。但在商業(yè)上實行時，需克服不少困難。氮化鋁應用於光電工程，包括在光學儲存介面及電子基質作誘電層，在高的導熱性下作晶片載體，以及作軍事用途。由于氮化鋁壓電效應的特性，氮化鋁晶體的外延性伸展也用於表面聲學波的探測器。而探測器則會放置於矽晶圓上。只有非常少的地方能可靠地制造這些細的薄膜。

基板材料

熱導率
（w/m-k.）

介電常數
和公差

損耗角

熱膨脹系數

(ppm/w?k)

應用及注釋

99.6%氧化鋁
(al2o3)

27

9.9 +/- 0.15@ 1mhz

0.0001

6.5 - 7.5

適合一般電路應用、與si和gaas芯片工藝兼容

氮化鋁(aln)

170

8.85 +/- 0.35@ 1mhz

0.001

4.6

適用于大功率電路、射頻和微波電路

石英(sio2)

1.38

3.82@ 1 mhz

0.000015@ 1 mhz

0.00033@ 24 ghz

0.55

適用于微波和毫米波頻率（低損耗）

其他基板可根據客戶需求單獨定制。