原裝、長期現(xiàn)貨、三包承若

賽米控（西門康）semikron 可控硅 igbt 系列產(chǎn)品，本公司可直接向德國訂貨，貨源穩(wěn) 交期快 量大更優(yōu)惠！保證每顆型號都為原裝新件。歡迎新老客戶咨詢！

所報價格均含稅含運費價格！如果不明白歡迎來電咨詢，謝謝！

igbt

igbt(insulated gate bipolar transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由bjt(雙極型三極管)和mos(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件, 兼有mosfet的高輸入阻抗和gtr的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點。gtr飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動電流較大;mosfet驅(qū)動功率很小，開關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。igbt綜合了以上兩種器件的優(yōu)點，驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600v及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。

igbt模塊的選擇

igbt模塊的電壓規(guī)格與所使用裝置的輸入電源即試電電源電壓緊密相關(guān)。其相互關(guān)系見下表。使用中當igbt模塊集電極電流增大時，所產(chǎn)生的額定損耗亦變大。同時，開關(guān)損耗增大，使原件發(fā)熱加劇，因此，選用igbt模塊時額定電流應(yīng)大于負載電流。特別是用作高頻開關(guān)時，由于開關(guān)損耗增大，發(fā)熱加劇，選用時應(yīng)該降等使用。 

使用中的注意事項

　　由于igbt模塊為mosfet結(jié)構(gòu)，igbt的柵極通過一層氧化膜與發(fā)射極實現(xiàn)電隔離。由于此氧化膜很薄，其擊穿電壓一般達到20～30v。因此因靜電而導(dǎo)致柵極擊穿是igbt失效的常見原因之一。因此使用中要注意以下幾點： 　　在使用模塊時，盡量不要用手觸摸驅(qū)動端子部分，當必須要觸摸模塊端子時，要先將人體或衣服上的靜電用大電阻接地進行放電后，再觸摸； 在用導(dǎo)電材料連接模塊驅(qū)動端子時，在配線未接好之前請先不要接上模塊； 盡量在底板良好接地的情況下操作。 在應(yīng)用中有時雖然保證了柵極驅(qū)動電壓沒有超過柵極Zui大額定電壓，但柵極連線的寄生電感和柵極與集電極間的電容耦合，也會產(chǎn)生使氧化層損壞的振蕩電壓。為此，通常采用雙絞線來傳送驅(qū)動信號，以減少寄生電感。在柵極連線中串聯(lián)小電阻也可以抑制振蕩電壓。 　　此外，在柵極—發(fā)射極間開路時，若在集電極與發(fā)射極間加上電壓，則隨著集電極電位的變化，由于集電極有漏電流流過，柵極電位升高，集電極則有電流流過。這時，如果集電極與發(fā)射極間存在高電壓，則有可能使igbt發(fā)熱及至損壞。 　　在使用igbt的場合，當柵極回路不正?；驏艠O回路損壞時(柵極處于開路狀態(tài))，若在主回路上加上電壓，則igbt就會損壞，為防止此類故障，應(yīng)在柵極與發(fā)射極之間串接一只10kω左右的電阻。 　　在安裝或更換igbt模塊時，應(yīng)十分重視igbt模塊與散熱片的接觸面狀態(tài)和擰緊程度。為了減少接觸熱阻，在散熱器與igbt模塊間涂抹導(dǎo)熱硅脂。一般散熱片底部安裝有散熱風扇，當散熱風扇損壞中散熱片散熱不良時將導(dǎo)致igbt模塊發(fā)熱，而發(fā)生故障。因此對散熱風扇應(yīng)定期進行檢查，一般在散熱片上靠近igbt模塊的地方安裝有溫度感應(yīng)器，當溫度過高時將報警或停止igbt模塊工作。 

保管時的注意事項

　　一般保存igbt模塊的場所，應(yīng)保持常溫常濕狀態(tài)，不應(yīng)偏離太大。常溫的規(guī)定為5～35℃ ，常濕的規(guī)定在45～75%左右。在冬天特別干燥的地區(qū)，需用加濕機加濕; 盡量遠離有腐蝕性氣體或灰塵較多的場合； 在溫度發(fā)生急劇變化的場所igbt模塊表面可能有結(jié)露水的現(xiàn)象，因此igbt模塊應(yīng)放在溫度變化較小的地方； 保管時，須注意不要在igbt模塊上堆放重物； 裝igbt模塊的容器，應(yīng)選用不帶靜電的容器。 　　igbt模塊由于具有多種優(yōu)良的特性，使它得到了快速的發(fā)展和普及，已應(yīng)用到電力電子的各方各面。因此熟悉igbt模塊性能，了解選擇及使用時的注意事項對實際中的應(yīng)用是十分必要的。

注意：

兩只起含稅 含運費 ！  原裝產(chǎn)品一經(jīng)售出不支持7天退換貨。

本產(chǎn)品的品牌是MITSUBISHI/三菱，型號是PM800HSA120，控制方式是單向，極數(shù)是多極，封裝材料是塑料封裝，封裝外形是平板形，關(guān)斷速度是高頻(快速)，散熱功能是不帶散熱片，頻率特性是超高頻，功率特性是大功率，額定正向平均電流是1（A），控制極觸發(fā)電流是1（mA）