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北京時(shí)間8月19日,據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道,英特爾和MICRON已經(jīng)開始發(fā)布下一代25納米NAND存儲(chǔ)芯片,為率,該芯片使用了三層存儲(chǔ)單元技術(shù)。8GB和64GB芯片正在向選定的客戶發(fā)售,用于SD卡存儲(chǔ)設(shè)備。該芯片在每個(gè)存儲(chǔ)單元中保存三位信息,而非像芯片那樣保存一到兩位信息,英特爾宣稱,這種芯片是目前市場(chǎng)上有效率的。英特爾副總裁及NAND組主管TomRampONe聲稱25納米已經(jīng)是業(yè)的尺寸,在完成25納米程度的三層存儲(chǔ)單元之后,公司還將繼續(xù)為用戶和發(fā)展更的產(chǎn)品。公司計(jì)劃利用IMFT的設(shè)計(jì)和制造業(yè)地位來(lái)為用戶提供更高性價(jià)比的產(chǎn)品。目前IMFT正與三星以及其他公司爭(zhēng)奪利潤(rùn)日趨豐厚的NAND市場(chǎng)。隨著存儲(chǔ)市場(chǎng)的增長(zhǎng)以及公眾對(duì)于固態(tài)硬盤的增多,芯片廠商正在為市場(chǎng)的硬件而競(jìng)爭(zhēng)。Tom還說(shuō)他們正在致力于使8GB的三層存儲(chǔ)單元NAND閃存設(shè)備符合終產(chǎn)品設(shè)計(jì)。
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