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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是通過（BipolarJunction Transistor，BJT）雙極型三極管和絕緣柵型場效管（Metal OxideSemiconductor，MOS）構(gòu)成復(fù)合全控型工作電壓推動式功率半導(dǎo)體器件,兼具（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,MOSFET）金氧上半場效晶體三極管高輸入電阻和電力工程晶體三極管（GiantTransistor，GTR）低通斷壓力降兩個方面優(yōu)勢。GTR飽和狀態(tài)壓減少，載流密度高，但工作電壓比較大；MOSFET驅(qū)動功率不大，電源開關(guān)速度更快，但通斷壓力降大，載流密度低。IGBT結(jié)合了以上兩種器件的優(yōu)勢，驅(qū)動功率小又飽和狀態(tài)壓減少。特別適合用于交流電壓為600V及以上變流器系統(tǒng)軟件如交流電動機(jī)、變頻調(diào)速器、開關(guān)電源電路、照明電路、牽引帶傳動系統(tǒng)等行業(yè)。