內(nèi)存，閃存顆粒制造廠商主要以三星(Samsung)、SK海力士（Hynix）、美光（Micron）、鎧俠（原Toshiba）、Intel、閃迪（Sandisk）等為代表的幾大廠商。

在國外NAND Flash主導市場的現(xiàn)狀下，中國NANDFlash廠商長江存儲（YMTC）異軍突起在市場中占據(jù)一席之地，其推出的128層3D NAND在2020年第1季將128層3DNAND樣品送交存儲控制器廠商，目標第3季進入投片、量產(chǎn)，擬用于UFS、SSD等各類終端產(chǎn)品，并同時出貨給模塊廠，包含TLC以及QLC產(chǎn)品，以擴大客戶基礎。

NAND Flash的應用及發(fā)展趨勢

NAND Flash作為一種比較實用的固態(tài)硬盤存儲介質，有自己的一些物理特性。NANDFlash的壽命不等于SSD的壽命，SSD盤可以通過多種技術手段從整體上提升SSD的壽命，通過不同的技術手段，SSD盤的壽命可以比NANDFlash壽命提升20%~2000%不等。

反過來講SSD的壽命不等于NAND Flash的壽命，NAND Flash的壽命主要通過P/Ecycle來表征，SSD由多個Flash顆粒組成，通過盤片算法，可有效發(fā)揮顆粒壽命。

基于NANDFlash的原理和制造工藝，所有主要的閃存制造商都積力于開發(fā)不同的方法，以降低每比特閃存的成本，同時正在積極研究增加3D NANDFlash中垂直層的數(shù)量。

隨著3DNAND技術的快速發(fā)展，QLC技術不斷成熟，QLC產(chǎn)品也已開始陸續(xù)出現(xiàn)，可以預見QLC將會取代TLC，猶如TLC取代MLC一樣。而且，隨著3DNAND單die容量不斷翻倍增長，這也將推動消費類SSD向4TB邁進，企業(yè)級SSD向8TB升級，QLC SSD將完成TLCSSD未完成的任務，逐漸取代HDD，這些都逐步的影響著NAND Flash市場。

研究統(tǒng)計范圍包括8 Gbit、4Gbit、2Gbit以及其他小于16Gbit的SLCNAND閃存，產(chǎn)品應用于消費電子產(chǎn)品、物聯(lián)網(wǎng)、汽車、工業(yè)、通信和其他相關行業(yè)。

國際原廠引領3D NAND 技術發(fā)展，在 NAND Flash 市場中，三星、鎧俠（東芝）存儲、美光、SK海力士、閃迪、英特爾這六家原廠長期壟斷著全球 99％以上的份額。

此外，國際原廠持續(xù)引領著3D NAND技術研發(fā)，形成了較為厚實的技術壁壘。但各原廠在設計方案上的差別將會對其產(chǎn)出產(chǎn)生形成一定影響。三星、SK海力士、鎧俠、閃迪已經(jīng)相繼發(fā)布100+層3D NAND產(chǎn)品。

當前階段，NAND Flash 市場的發(fā)展主要受到智能手機和平板電腦需求的驅動。相對于機械硬盤等傳統(tǒng)存儲介質，采用NANDFlash 芯片的SD卡、固態(tài)硬盤等存儲裝置沒有機械結構，無噪音、壽命長、功耗低、可靠性高、體積小、讀寫速度快、工作溫度范圍廣，是未來大容量存儲的發(fā)展方向。隨著大數(shù)據(jù)時代的到來，NANDFlash 芯片將在未來得到巨大發(fā)展。