物理分析

1.聚焦離子束(FIB)，由離子源，離子束聚焦和樣品臺組成。利用電鏡將離子聚焦成微波尺寸的切割器。聚焦離子束的細(xì)微切割，結(jié)合掃描電鏡的高分辨率成像，可以很好地解決剖面問題，定位精度可以達(dá)到0.1um以下，同時剖面過程過集成電路愛到的應(yīng)力很小，完整地保存集成電路。

2.掃描電子顯微鏡(SEM)，利用聚焦離子束轟擊器件面表，面產(chǎn)生許多電子信號，將這些電子信號放大作為調(diào)制信號，連接顯示器，可得到器件表面圖像。

透射電子顯微鏡(TEM)，分辨率可以達(dá)到0.1nm，透射電子顯微鏡可以清晰地分析器件缺陷，更好地滿足集成電器失效分析對檢測工具的解析要求。

3.VC定位技術(shù)基于SEM或FIB的一次電子束或離子束，在樣品表面進(jìn)行掃描。硅片表面不現(xiàn)部位有不同電勢，表現(xiàn)出來不同的明亮對比，找出導(dǎo)常亮的點從而定位失效點。

有損失效分析技術(shù)

1.打開封裝，一般有三種方法。全剝離法，集成電路完全損壞，只留下完整的芯片內(nèi)部電路。缺陷是由于內(nèi)部電路和引線全部被破壞，無法再進(jìn)行電動態(tài)分析。方法二局總?cè)コ?，三研磨機研磨集成電路表面的樹脂直到芯片。優(yōu)點是開封過種不損壞內(nèi)部電路和引線，開封后可以進(jìn)行電動態(tài)分析。方法三是自自動法用硫酸噴射達(dá)到局部去除的效果。

2.缺陷定位，定位具體失效位置在集成電路失效分析中，是一個重要而困難的項目，缺陷定位后才能發(fā)現(xiàn)失效機理及缺陷特征。

a.Emission顯微鏡技術(shù)，具有非破壞性和的特性。它使用光電子探測器來檢測產(chǎn)生光電效應(yīng)的區(qū)域。由于在硅片上產(chǎn)生缺陷的部位，通常會發(fā)生不斷增長的電子--空穴再結(jié)全而產(chǎn)生強烈的光子輻射。

b.OBIRCH技術(shù)是利用激光束感應(yīng)材料電阻率變化的測試技術(shù)。對不同材料經(jīng)激光束掃描，可得到不同材料電阻率變化，這一方法可以測試金屬布線內(nèi)部的那些可靠性隱患。

C.液晶熱點檢測一般由偏振顯微鏡，可調(diào)節(jié)溫度的樣品臺，以及控制電路構(gòu)成。在由晶體各向異性變?yōu)榫w各向同性時，所需要的臨界溫度能量很小，以此來提高靈敏度。同時相變溫度應(yīng)控制在30-90度，偏振顯微鏡要在正交偏振光的使用，這樣可以提高液晶相變反應(yīng)的靈敏度。