晶閘管的開通臨界電流上升率，反映了器件的大電流迅速開通能力。它與器件的開通速度、開通損耗、芯片局部熱分布參數(shù)、熱容量、熱極限承受能力等因素均有關系。襄樊臺基公司通過改善器件的分布式擴展門極結構、增強器件局部瞬時浪涌溫度承受能力，大大提升了器件的di/dt能力。目前主要產品的di/dt指標如下：

普通晶閘管系列  （a/μs）    

 

 

 

 

 

 

 高頻、快速晶閘管系列  （a/μs）                         

 

 

 

 

 

 

圖一為y70kkg晶閘管di/dt=1500a/μs測試時的電壓和電流波形。

  注：測試條件                                                  

  芯片結溫：普通晶閘管：tj=125°c，  高頻、快速晶閘管：tj=115°c

  門極條件：門極電流ig=5igt，  門極上升時間tr=1μs

 

提高晶閘管的臨界電流上升率，對于用戶使用有明顯的意義。

1．    晶閘管的高di/dt，可以在許多場合省去了串聯(lián)在晶閘管上的保護電感線圈，簡化了整機設計，減小了設備成本。

2．  在并聯(lián)逆變工作線路中，

晶閘管的高di/dt性能可使設計者減小晶閘管的換流時間，提高設備的工作頻率。

3．  晶閘管的高di/dt性能可使它方便地應用于部分脈沖功率電源領域。

 

1．    晶閘管的di/dt承受能力與其芯片結溫有直接關系，di/dt承受能力隨著溫度的上升會有明顯的下降。因此用戶在使用時必須保證器件的散熱條件。要求在工作過程中，普通晶閘管：tj≤125°c，高頻、快速晶閘管：tj≤115°c。

2．晶閘管的di/dt承受能力實際反映了器件的電流快速開通能力，它受器件門極觸發(fā)條件影響很大。采用上升率極陡的強觸發(fā)脈沖，可以明顯減小器件開通時間和開通損耗，增強器件di/dt承受能力。我們建議的觸發(fā)脈沖要求為：

觸發(fā)電流幅值：igm=4-10igt

觸發(fā)電流上升時間：tr小于1μs

3．晶閘管在承受過高的di/dt時，會在其芯片產生局部瞬時高溫，這種局部瞬時高溫在長期工作中會影響器件的工作壽命。因此，使用者在任何時候，都應保證di/dt不應超過器件生產廠家給出的規(guī)定值，并且留有一定裕量。