變頻電源IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）是有BJT（雙極結(jié)型晶體管）和MOSFET（金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管）組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式半導(dǎo)體器件，它兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩個(gè)方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR（電力晶體管，是一種雙極型大功率、高反壓晶體管，其功率非常大，因此又被稱為巨型晶體管，簡(jiǎn)稱GTR）的飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動(dòng)電流較大；MOSFET的驅(qū)動(dòng)功率很小，開(kāi)關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。而變頻電源電路采用IGBT綜合了以上兩種元器件的優(yōu)點(diǎn)，即驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。

IGBT變頻電源的性能指標(biāo)

變頻電源IGBT的開(kāi)關(guān)損耗包括關(guān)斷損耗和開(kāi)通損耗。常溫下，變頻電源IGBT的關(guān)斷損耗和MOSFET差不多。其開(kāi)通損耗平均比MOSFET略小，且它與溫度關(guān)系不大，但每增加100℃,其值增加2倍。兩種器件的開(kāi)關(guān)損耗和電流相關(guān)，電流越大，損耗越大。

變頻電源采用IGBT的優(yōu)勢(shì)

與MOSFET的BJT相比，變頻電源采用IGBT的主要優(yōu)勢(shì)如以下幾點(diǎn):

1）變頻電源IGBT有一個(gè)非常低的通態(tài)壓降，且由于它具有優(yōu)異的電導(dǎo)調(diào)制能力和較大的通態(tài)電流密度，使得更小的芯片尺寸和更低的功耗成為可能。

2）MOS柵結(jié)構(gòu)使得IGBT有較低的驅(qū)動(dòng)電壓，且只需要簡(jiǎn)單的外圍驅(qū)動(dòng)電路；與BJT和晶閘管相比較，它能更容易地使用在高電壓大電流的電路中。

3）它有比較寬的安全操作區(qū)，且具有比雙極型晶體管更優(yōu)良的電流傳導(dǎo)能力，也有良好的正向和反向阻斷能力。

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