意法半導(dǎo)體（ST）推出新款功率MOSFET，實(shí)現(xiàn)更小、更環(huán)保-久久國(guó)產(chǎn)精品自線拍免費(fèi),主播啪啪啪
意法半導(dǎo)體(stmicroelectronics，簡(jiǎn)稱st;紐約證券交易所代碼：stm)針對(duì)汽車(chē)市場(chǎng)推出了新系列高壓n溝道功率mosfet。新產(chǎn)品通過(guò)aec-q101汽車(chē)測(cè)試認(rèn)證，采用意法半導(dǎo)體Zui先進(jìn)、內(nèi)置快速恢復(fù)二極管的mdmeshtm dm2超結(jié)制造工藝，擊穿電壓范圍為400v至650v，可提供d2pak、to-220及to-247三種封裝。
400v和500v兩款新產(chǎn)品是市場(chǎng)上同級(jí)產(chǎn)品中首個(gè)獲得aec-q101認(rèn)證的功率mosfet，而600v和650v產(chǎn)品性能則高于現(xiàn)有競(jìng)爭(zhēng)產(chǎn)品。全系列產(chǎn)品專為汽車(chē)應(yīng)用設(shè)計(jì)，內(nèi)部集成快速恢復(fù)體二極管(fast body diode)、恢復(fù)軟度系數(shù)更高的換向行為(commutation behavior)和背對(duì)背柵源齊納(gate-source zener)二極管保護(hù)功能，是全橋零壓開(kāi)關(guān)拓?fù)涞睦硐脒x擇。
意法半導(dǎo)體的新功率mosfet是汽車(chē)市場(chǎng)上trr(反向恢復(fù)時(shí)間) / qrr(反向恢復(fù)電荷)比和恢復(fù)軟度系數(shù)表現(xiàn)的功率mosfet，同時(shí)也擁有Zui出色的高電流關(guān)斷能量(eoff)，有助于提高汽車(chē)電源能效。此外，內(nèi)部快速體二極管的性能表現(xiàn)亦十分出色，有助于降低emi電磁干擾，讓設(shè)計(jì)人員能夠使用尺寸更小的被動(dòng)濾波器件。mdmeshtm dm2技術(shù)通過(guò)這種方式讓電源設(shè)計(jì)變得更環(huán)保、能耗更低，從而使能效Zui大化、終端產(chǎn)品的尺寸Zui小化。
意法半導(dǎo)體的新款車(chē)用功率mosfet擁有以下主要特性：
· 快速恢復(fù)體二極管
· 極低的柵電荷量及輸入電容，500v d2pak產(chǎn)品的柵電荷量及輸入電容分別為44nc和 1850pf
· 低導(dǎo)通電阻
· Zui短的trr(反向恢復(fù)時(shí)間)：600v to-247在28a時(shí)是120ns;650v to-247在48a時(shí)是135ns
· 柵源齊納二極管保護(hù)
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