3D XPoint究竟是個什么東東？-日韓經典歐美一區(qū)二區(qū)三區(qū),豐滿農村熟女大碼
7月美光與英特爾共同發(fā)表全新（non-v）非揮發(fā)性內存芯片3d xpoint消息在近日占據(jù)了各大it頭條。其原因在于，3d xpoint是25年來引入市場的首個全新主流存儲芯片技術，可同時取代dram與nand在運算端的需求，不僅有高于dram 10倍的密度，更有比nand flash快千倍的速度。那3d xpoint究竟是個什么東東呢？
1、全新架構
名字里有個“3d”，還是來源于micron，3d xpoint率先帶給人們的印象就是micron自己3d ssd技術的升級版。不過，micron ceo mark durcan說的清楚，這與現(xiàn)有ssd 的3d技術完全沒有關系，是全新的架構。這或許意味著，即使你熟悉現(xiàn)在的3d ssd，或是amd與hynix聯(lián)合開發(fā)的hbm，對于 3d xpoint未必能夠理解。都是堆疊（packed），3d xpoint是全新的玩法，是獨立在dram與nand以外的全新“non-volatile memory form factor”，交叉點陣列結構。
2、非晶體管存儲
如今ssd已經發(fā)展的很是成熟，穩(wěn)定性、壽命、容量等都比此前有了極大的改善。當人們已經越發(fā)熟練掌握電子存儲并希望借助于此改革數(shù)據(jù)中心的時候，3d xpoint告訴大家自己不需要晶體管，而是儲存在架構中字組線（word line）與位線（bit line）的交叉點上，系統(tǒng)因此得以單獨存取每個儲存單元，當系統(tǒng)能以小單位讀取與寫入數(shù)據(jù)，讀寫程序將變得更快，內存儲存單元配置共1,280億個，且為可堆棧，目前初步技術堆棧至兩層、每個晶粒能儲存128gb，未來將持續(xù)發(fā)展更高層的堆棧技術增加儲存容量。
3、密度與顆粒度兼得
為了存儲更多數(shù)據(jù)，nand選擇犧牲基于單個bit讀取的需要，但為了保障數(shù)據(jù)可靠性還加上了ecc校驗。如今，3d xpoint既可以實現(xiàn)單個die存儲128gb的容量，還可以實現(xiàn)每個cell的單個bit的讀取，因為可以給每個cell提供不同的電壓。更令人驚奇的是，3d xpoint用的是傳統(tǒng)印刷電路方式?？磥?，3d xpoint解決了nand 閃存在密度與更細顆粒度不可兼得的煩惱。
4、pcie不夠用
想當初nand閃存初期之時，其與主機連接的傳輸速度大于自身傳輸速度，為此nand開啟burst和page模式。之后，隨著ssd在容量、速度上的改善，pcie與主機連接成了優(yōu)先選項。如今，3d xpoint告訴大家pcie不夠用了，當前3d xpoint采用的pcie方案只是臨時選項。這就意味著，下一步不但intel要拿出比pcie 3.0更牛的方案出來，主板廠商們也要進步了。
5、未來更廣的運用
3d xpoint基本上大幅降低了處理器與數(shù)據(jù)之間的延遲，預估未來也將有更多嶄新的運用，拓展出機器學習、實時追蹤疾病以及超擬真8k 游戲等發(fā)展。英特爾表示，3d x point將于2015年稍晚送樣給特定客戶，而英特爾與美光目前已開始著手開發(fā)包含3d x point 技術的相關產品。全球內存存儲研究機構dramexchange 預估，初期3d x point該將先出現(xiàn)于高階的服務器與商業(yè)應用端。
看了上面3d xpoint的種種，大家是不是很期待？當然，關于3d xpoint真的能實現(xiàn)如今宣傳的效果還需要很長的時間來考驗。