馮阿登納開發(fā)玻璃基板沉積設(shè)備 瞄準(zhǔn)面板級(jí)封裝-雙乳挺拔圓潤(rùn)柔軟擠壓-一日本道伊人久久綜合影
德國(guó)德累斯頓家族企業(yè)馮阿登納(Von Ardenne)正針對(duì)面板級(jí)封裝中的玻璃基板開發(fā)沉積涂層設(shè)備。公司北美區(qū)首席執(zhí)行官Stephen Strausser表示,該企業(yè)將利用其在大規(guī)模玻璃加工和真空沉積領(lǐng)域的經(jīng)驗(yàn),為半導(dǎo)體先進(jìn)封裝提供技術(shù)解決方案。
Strausser在舊金山舉行的SEMICON West 2026活動(dòng)上指出,面板級(jí)封裝面臨三大挑戰(zhàn):供應(yīng)鏈準(zhǔn)備度、玻璃基板處理以及證明其相比現(xiàn)有方案的經(jīng)濟(jì)優(yōu)勢(shì)。盡管玻璃已廣泛應(yīng)用于建筑、汽車、航空航天和光伏領(lǐng)域,但滿足全球半導(dǎo)體封裝需求仍需擴(kuò)充產(chǎn)能,且相關(guān)產(chǎn)業(yè)需適應(yīng)更高的要求與需求層級(jí)。
玻璃基板處理是另一項(xiàng)獨(dú)立挑戰(zhàn)。面板雖可能比硅晶圓更厚,但仍易碎,加工過(guò)程中存在破裂風(fēng)險(xiǎn)。目前行業(yè)尚未統(tǒng)一面板的標(biāo)準(zhǔn)尺寸與厚度,潛在規(guī)格包括300毫米和600毫米尺寸,厚度在0.8毫米至2毫米之間,形狀也在考量中。Strausser強(qiáng)調(diào),若面板級(jí)封裝無(wú)法以具有競(jìng)爭(zhēng)力的成本滿足技術(shù)要求,則難以實(shí)現(xiàn)商業(yè)化應(yīng)用。
馮阿登納目前集中研發(fā)三種沉積應(yīng)用:用于通孔玻璃過(guò)孔(TGV)的阻擋層與種子層,以及用于形成再分布層(RDL)的薄膜。這些薄膜需在電鍍完成銅填充或形成互連結(jié)構(gòu)前沉積。公司選擇聚焦這些應(yīng)用,是基于其在玻璃處理和特定沉積工藝方面的深厚積累,旨在通過(guò)玻璃加工與沉積能力的結(jié)合實(shí)現(xiàn)差異化,而非全面跟進(jìn)所有可能的涂層應(yīng)用。
物理氣相沉積(PVD)因能在定向沉積適用時(shí)以較低成本制備致密薄膜而具吸引力,但其定向特性使得覆蓋復(fù)雜過(guò)孔輪廓(如凹面和倒扣結(jié)構(gòu))較為困難。馮阿登納提出采用高功率脈沖磁控濺射(HiPIMS),Strausser稱該技術(shù)可為阻擋層和種子層生成附著力更強(qiáng)的致密薄膜。若未來(lái)蝕刻工藝產(chǎn)生PVD難以覆蓋的幾何結(jié)構(gòu),制造商可能需要等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)或原子層沉積(ALD)等替代方案。
馮阿登納提供四種沉積設(shè)備配置:水平在線濺射系統(tǒng)(HISS)、垂直系統(tǒng)、旋轉(zhuǎn)系統(tǒng)和傳統(tǒng)集群工具。HISS平臺(tái)使面板水平穿過(guò)多個(gè)腔室,其托盤配置可適配不同基板尺寸,支持多片并行處理。垂直系統(tǒng)與集群工具也提供類似靈活性,旋轉(zhuǎn)系統(tǒng)則適用于特定應(yīng)用。吞吐量部分取決于面板格式與沉積工藝,對(duì)于高深寬比結(jié)構(gòu)中的埋藏種子層,處理時(shí)間可能較長(zhǎng)。增加同時(shí)處理的基板數(shù)量是提高生產(chǎn)率的有效途徑。
在大面積基板上實(shí)現(xiàn)均勻涂層仍是開發(fā)難點(diǎn)。由于行業(yè)尚未建立廣泛的高體積制造,設(shè)備供應(yīng)商需與客戶共同開發(fā)過(guò)程控制方法。蝕刻過(guò)孔輪廓的差異會(huì)導(dǎo)致各面板的沉積要求不同。馮阿登納預(yù)計(jì),改進(jìn)的量測(cè)技術(shù)與反饋及前饋控制將有助于根據(jù)來(lái)料基板特征調(diào)整工藝參數(shù)。設(shè)備必須符合適用的SEMI和歐洲標(biāo)準(zhǔn)及客戶特定要求。顆??刂撇挥诔练e腔室,還延伸至工具間的基板傳輸,行業(yè)需要類似晶圓前開式統(tǒng)一晶舟(FOUP)的傳輸與密閉方案以防止污染。
目前,馮阿登納正與芯片制造商和封裝企業(yè)合作開展研發(fā)。其HISS平臺(tái)允許客戶在工藝條件確立前評(píng)估不同面板尺寸與配置。下一步將確定HISS是否適合量產(chǎn),或垂直與集群配置更為合適。Strausser總結(jié)稱,沉積工藝的Zui終經(jīng)濟(jì)性將影響先進(jìn)面板級(jí)封裝的普及程度。成本控制是Zui大因素,公司的在線平臺(tái)概念專為高通量設(shè)計(jì),以確??山邮艿膿碛谐杀?。
資料來(lái)源:EE Times Asia;原文發(fā)布日期:2026-11-02。本文為資料編譯。