SK海力士正與上下游供應(yīng)鏈伙伴推進(jìn)iHBM散熱技術(shù)的研發(fā)與量產(chǎn)準(zhǔn)備，目標(biāo)是將高帶寬內(nèi)存（HBM）的熱阻降低30%以上，并導(dǎo)入HBM5等下一代產(chǎn)品線。

iHBM于此前5月發(fā)布，核心在于從結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)入手解決散熱問題。傳統(tǒng)HBM主要依賴Core Die間接導(dǎo)熱，而iHBM在發(fā)熱Zui集中的Die-to-Die物理層（D2D PHY）區(qū)域直接嵌入名為ICE的溫控元件。該元件采用兼具絕緣性與高導(dǎo)熱性的硅基材料，相當(dāng)于為熱點(diǎn)開辟專用排熱通道，較傳統(tǒng)架構(gòu)確保產(chǎn)品在高溫高負(fù)荷環(huán)境下穩(wěn)定運(yùn)行。

量產(chǎn)可行性方面，iHBM沿用市場已充分驗(yàn)證的先進(jìn)MR-MUF晶圓級封裝（WLP）工藝，以支持穩(wěn)定大規(guī)模生產(chǎn)。該技術(shù)與客戶現(xiàn)有的系統(tǒng)級封裝（SiP）環(huán)境具備較高設(shè)計(jì)兼容性，客戶無需大幅修改設(shè)計(jì)即可直接導(dǎo)入，降低了實(shí)際應(yīng)用門檻。

根據(jù)技術(shù)路線圖，iHBM將優(yōu)先面向高性能計(jì)算（HPC）與AI數(shù)據(jù)中心需求，并適配2029年計(jì)劃推出的HBM5。目前SK海力士正在臺積電（TSMC）的CoWoS先進(jìn)封裝平臺上進(jìn)行相關(guān)驗(yàn)證。

隨著AI模型規(guī)模持續(xù)擴(kuò)大，HBM堆疊層數(shù)增加與運(yùn)行速度提升導(dǎo)致發(fā)熱量同步上升。連接HBM與GPU的物理互連路徑產(chǎn)生的熱量已成為下一代HBM技術(shù)競爭的核心環(huán)節(jié)，掌握熱控制能力對維持高帶寬內(nèi)存市場優(yōu)勢至關(guān)重要。若iHBM順利商業(yè)化，HBM競爭焦點(diǎn)將從容量與帶寬轉(zhuǎn)向封裝結(jié)構(gòu)與散熱工程，上游硅基材料、溫控元件及先進(jìn)封裝設(shè)備供應(yīng)商的角色也將隨之加重。

資料來源：BigGo ファイナンス；原文發(fā)布日期：2026-10-22。本文為資料編譯。