ST（意法半導(dǎo)體）發(fā)布MasterGaN7系列功率集成電路，進(jìn)一步擴(kuò)充其MasterGaN產(chǎn)品線。該系列產(chǎn)品專為高效率電源適配器、充電器、工業(yè)照明及太陽能光伏微逆變器等應(yīng)用設(shè)計(jì)，旨在提升系統(tǒng)能效與功率密度。

MasterGaN7將兩個650V增強(qiáng)型氮化鎵（GaN）晶體管（Zui大額定電流6A）與高壓高頻柵極驅(qū)動器集成于QFN封裝中。其引腳排列與安裝面積與現(xiàn)有MasterGaN產(chǎn)品兼容，便于直接替換升級。該系列采用Zui新一代GaN技術(shù)實(shí)現(xiàn)高速運(yùn)行與高效率，并首次內(nèi)置低壓差（LDO）穩(wěn)壓器以穩(wěn)定柵極驅(qū)動電壓，確保開關(guān)性能。

在功耗控制方面，MasterGaN7提供引腳控制的關(guān)斷模式，配合超快喚醒時間，可將空載功耗降至Zui低。器件傳播延遲為45納秒，具備極短的Zui小導(dǎo)通時間，支持高達(dá)2MHz的開關(guān)頻率。高頻工作特性允許使用更小型的外圍磁性元件和無源器件，從而縮減電路板面積與物料成本。

此外，芯片內(nèi)部集成用于高側(cè)驅(qū)動器供電的自舉二極管，并支持有源鉗位反激、不對稱半橋、反相降壓、LLC諧振、功率因數(shù)校正（PFC）及DC-AC逆變等多種電路拓?fù)?。為保障運(yùn)行安全，還集成了防止直通電流的互鎖機(jī)制、欠壓鎖定（UVLO）及熱關(guān)斷等保護(hù)功能。

MasterGaN7可在-40℃至+125℃環(huán)境下正常工作，目前已進(jìn)入量產(chǎn)階段，提供9×9毫米QFN封裝。批量采購（1000顆）單價為3.83美元起。配套評估板EVLMG7已在ST官網(wǎng)eStore上架，供開發(fā)者快速搭建硬件進(jìn)行方案驗(yàn)證。

資料來源：PR TIMES；原文發(fā)布日期：2026-10-27。本文為資料編譯。