住友金屬300mm SiC基板突破,三菱電機(jī)擴(kuò)大200mm產(chǎn)能-寶貝乖用力舔別停|歐美精品色視頻
日本炭化ケイ素(SiC)半導(dǎo)體製造市場(chǎng)は、高効率パワーエレクトロニクス、電気自動(dòng)車(EV)のパワートレイン、産業(yè)用モータードライブ、再生可能エネルギーシステム、高度な電力変換インフラへの需要拡大を背景に成長(zhǎng)している。SiCはワイドバンドギャップ半導(dǎo)體材料であり、従來(lái)のシリコンデバイスよりも高い電圧、溫度、スイッチング周波數(shù)で動(dòng)作可能。
住友金屬鉱山が300mmサイズのSiC基板製造で技術(shù)的ブレークスルーを達(dá)成し、三菱電機(jī)は200mmウェハの生産能力を拡大。両社の動(dòng)きにより、日本のSiCサプライチェーン再編が進(jìn)んでいる。
主な用途には、SiC MOSFET、ショットキーバリアダイオード、パワーモジュール、および高負(fù)荷電力変換用途のデバイスがある。自動(dòng)車分野では駆動(dòng)用インバーター、車載充電器、DC-DCコンバーターに採(cǎi)用され、電力密度と効率の向上が実現(xiàn)される。
日本政府は國(guó)內(nèi)生産能力、技術(shù)競(jìng)爭(zhēng)力、サプライチェーンのレジリエンス強(qiáng)化を重視する半導(dǎo)體政策を推進(jìn)しており、パワー半導(dǎo)體製造にも公的支援が屆く可能性がある。國(guó)內(nèi)生産は、自動(dòng)車?産業(yè)分野の顧客が長(zhǎng)期的な認(rèn)定済みデバイスの安定供給を求める戦略的要因となる。
再生可能エネルギー分野では、太陽(yáng)光発電用インバーター、エネルギー貯蔵システム、高出力充電インフラなどにSiCパワーデバイスが使用されている。また、産業(yè)オートメーションやデータセンターでも高効率電源裝置として採(cǎi)用が進(jìn)む。
主要企業(yè)として、ローム、三菱電機(jī)、富士電機(jī)、デンソー、東芝デバイス&ストレージ、レゾナック?ホールディングス、SiCrystal GmbH(ロームグループ)、住友電気工業(yè)などが參畫。各社はバリューチェーンの異なる段階に位置し、技術(shù)要件や競(jìng)爭(zhēng)環(huán)境が異なる。
課題としては、高コスト、基板品質(zhì)と歩留まりの低さ、複雑な製造プロセス、自動(dòng)車需要の不確実性、シリコンおよび窒化ガリウム(GaN)との競(jìng)爭(zhēng)、信頼性試験と認(rèn)定の遅延がある。これらの克服が持続可能な成長(zhǎng)と國(guó)際的地位強(qiáng)化の鍵となる。
市場(chǎng)は2036年まで大きな成長(zhǎng)機(jī)會(huì)が見(jiàn)込まれる。拡大ペースはEV需要、産業(yè)投資、製造歩留まり、基板供給狀況、ライフサイクルコストの競(jìng)爭(zhēng)力に左右される。
資料來(lái)源:ドリームニュース;原文發(fā)布日期:2026-10-13。本文為資料編譯。