美國應用材料公司（Applied Materials）與荷蘭BE半導體工業(yè)公司（Besi）于10月2日宣布，將顯著擴大雙方在AI半導體封裝技術領域的聯(lián)合研發(fā)范圍。Besi將作為創(chuàng)新合作伙伴加入應用材料公司正在建設的硅谷EPIC（設備與工藝創(chuàng)新及商業(yè)化）中心。此次合作將在現(xiàn)有混合鍵合項目基礎上，延伸至芯片到芯片、芯片到封裝以及面板級集成的下一代互連技術。

雙方計劃集中研發(fā)能力攻關下一代3D集成電路縮放及邏輯-存儲集成技術，具體涵蓋下一代晶圓到晶粒（die-to-wafer）混合鍵合平臺、先進熱壓鍵合（TCB）技術、多形態(tài)晶粒堆疊集成平臺，以及用于共封裝光學（CPO）的光子互連技術?；旌湘I合通過直接鍵合銅互連層與介質層替代傳統(tǒng)凸點，可縮小芯片間距并提升數(shù)據(jù)傳輸速度與集成密度，已成為高性能AI半導體與3D堆疊半導體的關鍵封裝方案。

兩家公司自2020年起已在應用材料新加坡先進封裝開發(fā)中心設立聯(lián)合卓越中心（CoE），曾合作推出業(yè)界首款集成式晶圓到晶?；旌湘I合系統(tǒng)Kinex。該成果的核心在于將晶圓處理、晶粒放置、鍵合與檢測優(yōu)化為單一連續(xù)流程，而非單獨開發(fā)各工序。此次EPIC中心合作延續(xù)此策略，Besi工程師將常駐現(xiàn)場與應用材料研究人員協(xié)同開發(fā)，旨在通過全流程優(yōu)化加速技術投產(chǎn)。

隨著AI加速器與高帶寬內存（HBM）等多顆半導體集成至單一封裝的趨勢普及，芯片間互連密度與帶寬需求迅速增長。應用材料公司指出，先進封裝已不再僅是后端組裝步驟，而是需要達到前端晶圓制造同等精度與潔凈度的材料工程挑戰(zhàn)。為此，應用材料公司計劃在EPIC中心分階段投資Zui高50億美元，預計年內完成運營準備，將其作為縮短早期研發(fā)技術向實際生產(chǎn)轉化周期的基地。

應用材料半導體產(chǎn)品集團總裁Prabu Raja表示，以一體化流程開發(fā)技術可縮短大規(guī)模量產(chǎn)時間。應用材料董事長兼CEO Gary Dickerson與Besi首席執(zhí)行官Richard Blickman均強調，此次合作將幫助客戶更早明確技術路線方向，并共同優(yōu)化整個封裝流程，以支撐下一代AI與光子系統(tǒng)的基礎互聯(lián)技術。